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资料编号:333474
 
资料名称:IRFR9N20D
 
文件大小: 126.79K
   
说明
 
介绍:
Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)max=0.38ohm, Id=9.4A)
 
 


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irfr9n20d/irfu9n20d
4 www.irf.com
图 8.
最大 safe 运行 范围
图 6.
典型 门 承担 vs.
门-至-源 电压
图 5.
典型 电容 vs.
流-至-源 电压
图 7.
典型 源-流 二极管
向前 电压
0 5 10 15 20 25 30
0
4
8
12
16
20
q , 总的 门 承担 (nc)
v , 门-至-源 电压 (v)
G
GS
为 测试 电路
看 图示
I =
D
13
5.6a
V =40V
DS
V =100V
DS
V =160V
DS
0.1
1
10
100
0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4
v ,源-至-流 电压 (v)
i , 反转 流 电流 (一个)
SD
SD
v = 0 v
GS
t = 25 c
J
°
t = 175 c
J
°
0.1
1
10
100
1000
1 10 100 1000
运作 在 这个 范围 限制
用 r
ds(在)
单独的 脉冲波
T
T
= 175 c
= 25 c
°
°
J
C
v , 流-至-源 voltage (v)
i , 流 电流 (一个)i , 流 电流 (一个)
DS
D
10us
100us
1ms
10ms
1 10 100 1000
V
DS
, 流-至-源 电压 (v)
10
100
1000
10000
c, 电容(pf)
Coss
Crss
Ciss
V
GS
= 0v, f = 1 mhz
C
iss
= c
gs
+ c
gd
, c
ds
短接
C
rss
= c
gd
C
oss
= c
ds
+ c
gd
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