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资料编号:340960
 
资料名称:G20N120
 
文件大小: 93.09K
   
说明
 
介绍:
63A, 1200V, NPT Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode
 
 


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3
电流 转变-在 延迟 时间 t
d(在)i
igbt 和 二极管 在 t
J
= 150
o
C
I
CE
= i
C110
V
CE
= 0.8 bv
CES
V
GE
= 15v
R
G
= 3
l = 1mh
测试 电路 - (图示 19)
-39 - ns
电流 上升 时间 t
rI
-20 - ns
电流 转变-止 延迟 时间 t
d(止)i
- 360 550 ns
电流 下降 时间 t
fI
- 300 400 ns
转变-在 活力 (便条 4) E
ON1
- 950 -
µ
J
转变-在 活力 (便条 4) E
ON2
- 3365 -
µ
J
转变-止 活力 (便条 3) E
- 4400 8000
µ
J
二极管 向前 电压 V
EC
I
EC
= 20a - 2.6 3.4 V
二极管 反转 恢复 时间 t
rr
I
EC
= 1a, di
EC
/dt = 200a/
µ
s--50ns
I
EC
= 20a, di
EC
/dt = 200a/
µ
s--70ns
热的 阻抗
接合面 至 情况
R
θ
JC
IGBT - - 0.6
o
c/w
二极管 - - 1.25
o
c/w
注释:
3. 转变-止 活力 丧失 (e
) defined integral instantaneous 电源 丧失 开始 trailing 边缘 输入 脉冲波 ending
要点 在哪里 集电级 电流 相等 (i
CE
= 0a). 所有 设备 测试 电子元件工业联合会 标准 非. 24-1 方法 度量
的 电源 设备 转变-止 切换 丧失. 这个 测试 方法 生产 这 真实 总的 转变-止 活力 丧失.
4. 转变-在 丧失 情况 显示 convenience 电路 设计者. E
ON1
转变-在 丧失 IGBT 仅有的. E
ON2
这 转变-在 丧失 当 一个 典型 二极管 是 使用 在 这 测试 电路 和 这 二极管 是 在 这 一样 t
J
作 这 igbt. 这 二极管 类型 是 specified 在
图示 19.
典型 效能 曲线
(除非 否则 specified)
图示 1. 直流 集电级 电流 vs 情况
温度
图示 2. 最小 切换 safe 运行 范围
电的 specifications
T
C
= 25
o
c, 除非 否则 specified
(持续)
参数 标识 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
T
C
, 情况 温度 (
o
c)
I
CE
, 直流 集电级 电流 (一个)
50
10
0
40
20
30
35
5
V
GE
= 15v
25 75 100 125 150
25
15
45
V
CE
, 集电级 至 发射级 电压 (v)
40
1400
30
0
I
CE
, 集电级 至 发射级 电流 (一个)
10
20
600 800400200 1000 1200
0
50
60
70
T
J
= 150
o
c, r
G
= 3
, v
GE
= 15v, l = 100
µ
H
HGTG20N120C3D
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