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资料编号:340960
 
资料名称:G20N120
 
文件大小: 93.09K
   
说明
 
介绍:
63A, 1200V, NPT Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode
 
 


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4
图示 3. 运行 频率 vs 集电级
发射级 电流
图示 4. 短的 电路 承受 时间
图示 5. 集电级 至 发射级 在-状态 电压 图示 6. 集电级 至 发射级 在-状态 电压
图示 7. 转变-在 活力 丧失 vs 集电级
发射级 电流
图示 8. 转变-止 活力 丧失 vs 集电级
发射级 电流
典型 效能 曲线
(除非 否则 specified)
(持续)
f
MAX1
= 0.05 / (t
d(止)i
+ t
d(在)i
)
R
ØJC
= 0.6
o
c/w, 看 注释
P
C
= 传导 消耗
(职责 因素 = 50%)
f
MAX2
= (p
D
- p
C
) / (e
ON2
+ e
)
T
C
V
GE
110
o
C
12V
15V
15V
75
o
C
110
o
C
75
o
C
12V
T
J
= 150
o
c, r
G
= 3
, l = 1mh,
V
CE
= 960v
f
最大值
, 运行 频率 (khz)
5
I
CE
, 集电级 至 发射级 电流 (一个)
1
10
6020
60
10
V
GE
, 门 至 发射级 电压 (v)
I
SC
, 顶峰 短的 电路 电流 (一个)
t
SC
, 短的 电路 承受 时间 (
µ
s)
11 12 13 14 15 16
5
10
15
20
30
25
100
150
200
250
300
350
t
SC
I
SC
35 400
V
CE
= 720v, r
GE
= 3
, t
J
= 125
o
C
024
V
CE
, 集电级 至 发射级 电压 (v)
I
CE
, 集电级 至 发射级 电流 (一个)
0
10
20
30
6810
60
50
40
70
脉冲波 持续时间 = 250
µ
s
职责 循环 <0.5%, v
GE
= 12v
T
C
= -40
o
C
T
C
= 25
o
C
T
C
= 150
o
C
I
CE
, 集电级 至 发射级 电流 (一个)
V
CE
, 集电级 至 发射级 电压 (v)
100
125
150
175
024
0
75
6810
50
25
职责 循环 <0.5%, v
GE
= 15v
脉冲波 持续时间 = 250
µ
s
T
C
= -40
o
C
T
C
= 150
o
C
T
C
= 25
o
C
12 14
200
E
ON2
, 转变-在 活力 丧失 (mj)
12.5
7.5
I
CE
, 集电级 至 发射级 电流 (一个)
10.0
5.0
2.5
2010 3025155
15.0
T
J
= 25
o
c, t
J
= 150
o
c, v
GE
= 12v
R
G
= 3
, l = 1mh, v
CE
= 960v
T
J
= 25
o
c, t
J
= 150
o
c, v
GE
= 15v
35 40 45
17.5
20.0
0
I
CE
, 集电级 至 发射级 电流 (一个)
E
, 转变-止 活力 丧失 (mj)
0
251510 20 305
2
6
R
G
= 3
, l = 1mh, v
CE
= 960v
T
J
= 150
o
c, v
GE
= 12v 或者 15v
T
J
= 25
o
c, v
GE
= 12v 或者 15v
4
8
10
12
4035 45
HGTG20N120C3D
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