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资料编号:340960
 
资料名称:G20N120
 
文件大小: 93.09K
   
说明
 
介绍:
63A, 1200V, NPT Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode
 
 


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6
图示 15. 电容 vs 集电级 至 发射级 电压
图示 16. normalized 瞬时 热的 回馈, 接合面 至 情况
图示 17. 二极管 向前 电流 vs 向前
电压 漏出
图示 18. 恢复 时间 vs 向前 电流
典型 效能 曲线
(除非 否则 specified)
(持续)
C
RES
V
CE
, 集电级 至 发射级 电压 (v)
0 5 10 15 20 25
0
1000
2000
c, 电容 (pf)
C
OES
3000
4000
5000
6000
7000
8000
频率 = 1mhz
C
IES
Z
θ
JC
, normalized 热的 回馈
t
1
, rectangular 脉冲波 持续时间 (s)
10
-5
10
-3
10
0
10
1
10
-4
t
1
t
2
P
D
职责 因素, d = t
1
/ t
2
顶峰 t
J
= (p
D
x z
θ
JC
x r
θ
JC
) + t
C
10
-1
10
-2
单独的 脉冲波
10
0
10
-1
10
-2
0.50
0.20
0.05
0.01
0.10
0.02
V
F
, 向前 电压 (v)
I
F
, 向前 电流 (一个)
100
1
10
01 2 3 45
V
F
, 向前 电压 (v)
150
o
C
25
o
C
I
F
, 向前 电流 (一个)
10
20
70
201
30
60
t, 恢复 时间 (ns)
10
40
5
50
2
T
C
= 150
o
C
t
rr
t
一个
t
b
HGTG20N120C3D
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