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资料编号:342303
 
资料名称:IRG4PC50UD
 
文件大小: 213.92K
   
说明
 
介绍:
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.65V, @Vge=15V, Ic=27A)
 
 


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IRG4PC50UD
2 www.irf.com
参数 最小值 典型值 最大值 单位
情况
Q
g
总的 门 承担 (转变-在) ---- 180 270 I
C
= 27a
Qge 门 - 发射级 承担 (转变-在) ---- 25 38 nC V
CC
= 400v 看 图. 8
Q
gc
门 - 集电级 承担 (转变-在) ---- 61 90 V
GE
= 15v
t
d(在)
转变-在 延迟 时间 ---- 46 ---- T
J
= 25
°
C
t
r
上升 时间 ---- 25 ---- ns I
C
= 27a, v
CC
= 480v
t
d(止)
转变-止 延迟 时间 ---- 140 230 V
GE
= 15v, r
G
= 5.0
t
f
下降 时间 ---- 74 110 活力 losses 包含 "tail" 和
E
转变-在 切换 丧失 ---- 0.99 ---- 二极管 反转 恢复.
E
转变-止 切换 丧失 ---- 0.59 ---- mJ 看 图. 9, 10, 11, 18
E
ts
总的 切换 丧失 ---- 1.58 1.9
t
d(在)
转变-在 延迟 时间 ---- 44 ---- T
J
= 150
°
c, 看 图. 9, 10, 11, 18
t
r
上升 时间 ---- 27 ---- ns I
C
= 27a, v
CC
= 480v
t
d(止)
转变-止 延迟 时间 ---- 240 ---- V
GE
= 15v, r
G
= 5.0
t
f
下降 时间 ---- 130 ---- 活力 losses 包含 "tail" 和
E
ts
总的 切换 丧失 ---- 2.3 ---- mJ 二极管 反转 恢复.
L
E
内部的 发射级 电感 ---- 13 ---- nH 量过的 5mm 从 包装
C
ies
输入 电容 ---- 4000 ---- V
GE
= 0v
C
oes
输出 电容 ---- 250 ---- pF V
CC
= 30v 看 图. 7
C
res
反转 转移 电容 ---- 52 ----
ƒ
= 1.0mhz
t
rr
二极管 反转 恢复 时间 ---- 50 75 ns T
J
= 25
°
c 看 图.
---- 105 160 T
J
= 125
°
c 14 i
F
= 25a
I
rr
二极管 顶峰 反转 恢复 电流 ---- 4.5 10 一个 T
J
= 25
°
c 看 图.
---- 8.0 15 T
J
= 125
°
c 15 v
R
= 200v
Q
rr
二极管 反转 恢复 承担 ---- 112 375 nC T
J
= 25
°
c 看 图.
---- 420 1200 T
J
= 125
°
c 16 di/dt 200a/µs
di
(rec)m
/dt 二极管 顶峰 比率 的 下降 的 恢复 ---- 250 ---- 一个/µs T
J
= 25
°
C
在 t
b
---- 160 ---- T
J
= 125
°
C
参数 最小值 典型值 最大值 单位
情况
V
(br)ces
集电级-至-发射级 损坏 电压
600 ---- ---- V V
GE
= 0v, i
C
= 250µa
V
(br)ces
/
T
J
温度 coeff. 的 损坏 电压 ---- 0.60 ---- v/
°
CV
GE
= 0v, i
C
= 1.0ma
V
ce(在)
集电级-至-发射级 饱和 电压 ---- 1.65 2.0 I
C
= 27a V
GE
= 15v
---- 2.0 ---- V I
C
= 55a 看 图. 2, 5
---- 1.6 ---- I
C
= 27a, t
J
= 150
°
C
V
ge(th)
门 门槛 电压 3.0 ---- 6.0 V
CE
= v
GE
, i
C
= 250µa
V
ge(th)
/
T
J
温度 coeff. 的 门槛 电压 ---- -13 ---- mv/
°
CV
CE
= v
GE
, i
C
= 250µa
g
fe
向前 跨导
16 24 ---- S V
CE
= 100v, i
C
= 27a
I
CES
零 门 电压 集电级 电流 ---- ---- 250 µA V
GE
= 0v, v
CE
= 600v
---- ---- 6500 V
GE
= 0v, v
CE
= 600v, t
J
= 150
°
C
V
FM
二极管 向前 电压 漏出 ---- 1.3 1.7 V I
C
= 25a 看 图. 13
---- 1.2 1.5 I
C
= 25a, t
J
= 150
°
C
I
GES
门-至-发射级 泄漏 电流 ---- ---- ±100 nA V
GE
= ±20v
切换 特性 @ t
J
= 25°c (除非 否则 指定)
电的 特性 @ t
J
= 25°c (除非 否则 指定)
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