IRG4RC10UD
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参数 最小值 典型值 最大值 单位
情况
Q
g
总的 门 承担 (转变-在)
—
15 22 I
C
= 5.0a
Qge 门 - 发射级 承担 (转变-在)
—
2.6 4.0 nC V
CC
= 400v 看 图. 8
Q
gc
门 - 集电级 承担 (转变-在)
—
5.8 8.7 V
GE
= 15v
t
d(在)
转变-在 延迟 时间
—
40
—
T
J
= 25
°
C
t
r
上升 时间
—
16
—
ns I
C
= 5.0a, v
CC
= 480v
t
d(止)
转变-止 延迟 时间
—
87 130 V
GE
= 15v, r
G
= 100
Ω
t
f
下降 时间
—
140 210 活力 losses 包含 "tail" 和
E
在
转变-在 切换 丧失
—
0.14
—
二极管 反转 恢复.
E
止
转变-止 切换 丧失
—
0.12
—
mJ 看 图. 9, 10, 18
E
ts
总的 切换 丧失
—
0.26 0.33
t
d(在)
转变-在 延迟 时间
—
38
—
T
J
= 150
°
c, 看 图. 11, 18
t
r
上升 时间
—
18
—
ns I
C
= 5.0a, v
CC
= 480v
t
d(止)
转变-止 延迟 时间
—
95
—
V
GE
= 15v, r
G
= 100
Ω
t
f
下降 时间
—
250
—
活力 losses 包含 "tail" 和
E
ts
总的 切换 丧失
—
0.45
—
mJ 二极管 反转 恢复.
L
E
内部的 发射级 电感
—
7.5
—
nH 量过的 5mm 从 包装
C
ies
输入 电容
—
270
—
V
GE
= 0v
C
oes
输出 电容
—
21
—
pF V
CC
=30V 看 图. 7
C
res
反转 转移 电容
—
3.5
—ƒ
= 1.0mhz
t
rr
二极管 反转 恢复 时间
—
28 42 ns T
J
= 25
°
c 看 图.
—
38 57 T
J
= 125
°
c 14 i
F
= 4.0a
I
rr
二极管 顶峰 反转 恢复 电流
—
2.9 5.2 一个 T
J
= 25
°
c 看 图.
—
3.7 6.7 T
J
= 125
°
c 15 v
R
= 200v
Q
rr
二极管 反转 恢复 承担
—
40 60 nC T
J
= 25
°
c 看 图.
—
70 105 T
J
= 125
°
c 16 di/dt = 200a/µs
di
(rec)m
/dt 二极管 顶峰 比率 的 下降 的 恢复
—
280
—
一个/µs T
J
= 25
°
c 看 图.
在 t
b
—
235
—
T
J
= 125
°
c 17
参数 最小值 典型值 最大值 单位
情况
V
(br)ces
集电级-至-发射级 损坏 电压
600
——
VV
GE
= 0v, i
C
= 250µa
∆
V
(br)ces
/
∆
T
J
温度 coeff. 的 损坏 电压
—
0.54
—
v/
°
CV
GE
= 0v, i
C
= 1.0ma
V
ce(在)
集电级-至-发射级 饱和 电压
—
2.15 2.6 I
C
= 5.0a V
GE
= 15v
—
2.61
—
VI
C
= 8.5a 看 图. 2, 5
—
2.30
—
I
C
= 5.0a, t
J
= 150
°
C
V
ge(th)
门 门槛 电压 3.0
—
6.0 V
CE
= v
GE
, i
C
= 250µa
∆
V
ge(th)
/
∆
T
J
温度 coeff. 的 门槛 电压
—
-8.7
—
mv/
°
CV
CE
= v
GE
, i
C
= 250µa
g
fe
向前 跨导
2.8 4.2
—
SV
CE
= 100v, i
C
= 5.0a
I
CES
零 门 电压 集电级 电流
——
250 µ一个 V
GE
= 0v, v
CE
= 600v
——
1000 V
GE
= 0v, v
CE
= 600v, t
J
= 150
°
C
V
FM
二极管 向前 电压 漏出
—
1.5 1.8 V I
C
= 4.0a 看 图. 13
—
1.4 1.7 I
C
= 4.0a, t
J
= 125
°
C
I
GES
门-至-发射级 泄漏 电流
——
±100 n一个 V
GE
= ±20v
切换 特性 @ t
J
= 25°c (除非 否则 指定)
电的 特性 @ t
J
= 25°c (除非 否则 指定)
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