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资料编号:342336
资料名称:
IRG4RC10UD
文件大小: 191.19K
说明
:
介绍
:
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.15V, @Vge=15V, Ic=5.0A)
: 点此下载
1
2
3
4
5
6
7
8
9
本平台电子爱好着纯手工中文简译:
截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
IRG4RC10UD
www.irf.com
3
图. 1
- 典型 加载 电流 vs. 频率
(加载 电流 = i
RMS
的 基本的)
图. 2
- 典型 输出 特性
图. 3
- 典型 转移 特性
0.1
1
10
100
0.0
0.4
0.8
1.2
1.6
f, 频率 (khz)
加载 电流 (一个)
为 两个都:
职责 循环: 50%
t = 125
°
C
T
=
90
°
C
门 驱动 作 指定
下沉
J
电源 消耗 = w
1.4
1
10
100
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
v , 门-至-发射级 电压 (v)
i , 集电级-至-发射级 电流 (一个)
GE
C
v = 50v
5µ
s 脉冲波 宽度
CC
t = 25 c
J
o
t = 150 c
J
o
6
0%
的 比率
d
volta
ge
I
完美的 二极管
正方形的 波:
0.1
1
10
100
1
10
v , 集电级-至-发射级 电压 (v)
i , 集电级-至-发射级 电流 (一个)
CE
C
v = 15v
20
µs 脉冲波 宽度
GE
t = 25 c
J
o
t = 150 c
J
o
55
°
C
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