ixys mosfets 和 igbts 是 covered 用 一个 或者 更多 的 这 下列的 u.s. 专利权: 4,835,592 4,881,106 5,017,508 5,049,961 5,187,117 5,486,715
4,850,072 4,931,844 5,034,796 5,063,307 5,237,481 5,381,025
ixys reserves 这 正确的 至 改变 限制, 测试 情况, 和 维度.
IXGH50N60A IXGH50N60AS
标识 测试 情况 典型的值
(t
J
= 25
°
c, 除非 否则 指定)
最小值 典型值 最大值
g
fs
I
C
= i
C90
; v
CE
= 10 v, 25 35 S
脉冲波 测试, t
≤
300
µ
s, 职责 循环
≤
2 %
C
ies
4000 pF
C
oes
V
CE
= 25 v, v
GE
= 0 v, f = 1 mhz 430 pF
C
res
100 pF
Q
g
200 250 nC
Q
ge
I
C
= i
C90
, v
GE
= 15 v, v
CE
= 0.5 v
CES
35 50 nC
Q
gc
80 100 nC
t
d(在)
50 ns
t
ri
210 ns
t
d(止)
200 ns
t
fi
275 400 ns
E
止
4.8 mJ
t
d(在)
50 ns
t
ri
240 ns
E
在
3mJ
t
d(止)
280 ns
t
fi
600 ns
E
止
9.6 mJ
R
thJC
0.50 k/w
R
thCK
0.25 k/w
inductive 加载, t
J
= 25
°°
°°
°
C
I
C
= i
C90
, v
GE
= 15 v, l = 30
µ
h,
V
CE
= 0.8 v
CES
, r
G
= r
止
= 2.7
Ω
remarks: 切换 时间 将 增加
为 v
CE
(clamp) > 0.8 • v
CES
, 高等级的
T
J
或者 增加 r
G
inductive 加载, t
J
= 125
°°
°°
°
C
I
C
= i
C90
, v
GE
= 15 v, l = 30
µ
H
V
CE
= 0.8 v
CES
, r
G
= r
止
= 2.7
Ω
remarks: 切换 时间 将 增加
为 v
CE
(clamp) > 0.8 • v
CES
,
高等级的 t
J
或者 增加 r
G
最小值 推荐 footprint
(维度 在 英寸 和 (mm))
维度 Millimeter 英寸
最小值 最大值 最小值 最大值
一个 4.7 5.3 .185 .209
一个
1
2.2 2.54 .087 .102
一个
2
2.2 2.6 .059 .098
b 1.0 1.4 .040 .055
b
1
1.65 2.13 .065 .084
b
2
2.87 3.12 .113 .123
C .4 .8 .016 .031
D 20.80 21.46 .819 .845
E 15.75 16.26 .610 .640
e 5.20 5.72 0.205 0.225
L 19.81 20.32 .780 .800
L1 4.50 .177
∅
P 3.55 3.65 .140 .144
Q 5.89 6.40 0.232 0.252
R 4.32 5.49 .170 .216
S 6.15 BSC 242 BSC
e
∅
P
1. 门
2. 集电级
3. 发射级
4. 集电级
维度 Millimeter 英寸
最小值 最大值 最小值 最大值
一个 4.83 5.21 .190 .205
A1 2.29 2.54 .090 .100
A2 1.91 2.16 .075 .085
b 1.14 1.40 .045 .055
b1 1.91 2.13 .075 .084
C 0.61 0.80 .024 .031
D 20.80 21.34 .819 .840
E 15.75 16.13 .620 .635
e 5.45 BSC .215 BSC
L 4.90 5.10 .193 .201
L1 2.70 2.90 .106 .114
L2 2.10 2.30 .083 .091
L3 0.00 0.10 .00 .004
L4 1.90 2.10 .075 .083
ØP 3.55 3.65 .140 .144
Q 5.59 6.20 .220 .244
R 4.32 4.83 .170 .190
S 6.15 BSC .242 BSC
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