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T
J
- degrees c
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150
bv / v
ce(sat)
-Normalized
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
V
GE
- 伏特
012345678910
I
C
- amperes
0
10
20
30
40
50
60
70
80
T
J
- degrees c
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150
V
ce(sat)
- normalized
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
1.3
1.4
1.5
V
GE
- 伏特
4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15
V
CE
- 伏特
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
V
CE
- 伏特
02468101214161820
I
C
- amperes
0
50
100
150
200
250
300
350
5V
7V
9V
11V
13V
V
CE
- 伏特
012345
I
C
- amperes
0
10
20
30
40
50
60
70
80
V
GE
= 15v
I
C
= 40a
I
C
= 20a
I
C
= 80a
I
C
= 40a
I
C
= 20a
T
J
=
125°C
T
J
= 25°c
V
ge(th)
@ 250µa
V
CE
= 100v
BV
CES
@ 3ma
T
J
= 25°c
T
J
= 25°c
T
J
= 25°c
V
GE
= 15v
13V
11V
9V
7V
5V
图. 3 集电级-发射级 电压 图. 4 温度 dependence
vs. 门-发射级 电压 的 输出 饱和 电压
图. 1 饱和 特性 图. 2 输出 characterstics
图. 5 输入 admittance 图. 6 温度 dependence 的
损坏 和 门槛 电压
IXGH50N60A IXGH50N60AS