IXGH50N60A_集成电路资料查询网

ixys mosfets 和 igbts 是 covered 用 一个 或者 更多 的 这 下列的 u.s. 专利权: 4,835,592 4,881,106 5,017,508 5,049,961 5,187,117 5,486,715
4,850,072 4,931,844 5,034,796 5,063,307 5,237,481 5,381,025
ixys reserves 这 正确的 至 改变 限制, 测试 情况,  和  维度.
IXGH50N60A IXGH50N60AS
V
CE
- 伏特
0 5 10 15 20 25
电容 - pf
0
500
1000
1500
2000
2500
3000
3500
4000
4500
C
ies
C
res
C
oes
V
CE
- 伏特
0 100 200 300 400 500 600 700
I
C
- amperes
0.01
0.1
1
10
100
T
J
= 125°c
dv/dt < 3v/ns
总的 门 承担 - (nc)
0 50 100 150 200 250
V
GE
- 伏特
0
3
6
9
12
15
脉冲波 宽度 - 秒
0.00001 0.0001 0.001 0.01 0.1 1 10
Z
thJC
(k/w)
0.001
0.01
0.1
1
d = 职责 循环
单独的 脉冲波
d=0.5
d=0.2
I
C
= 40a
V
CE
= 500v
d=0.1
d=0.05
d=0.02
d=0.01
G50N60 2 JNB
图.10 瞬时 热的 阻抗
图.9 电容 曲线
图.7 门 承担 图.8 转变-止 safe 运行 范围

标　题:
内　容:
用户名:

手机号:	(*未登录用户需填写手机号,手机号不公开,可用于网站积分.)

本平台电子爱好着纯手工中文简译:	截至2020/5/17日,支持英文词汇500个

ixys mosfets 和 igbts 是 covered 用一个或者更多的这下列的 u.s. 专利权: 4,835,592 4,881,106 5,017,508 5,049,961 5,187,117 5,486,715 4,850,072 4,931,844 5,034,796 5,063,307 5,237,481 5,381,025 ixys reserves 这正确的至改变限制, 测试情况, 和维度. IXGH50N60A IXGH50N60AS V CE - 伏特 0 5 10 15 20 25 电容 - pf 0 500 1000 1500 2000 2500 3000 3500 4000 4500 C ies C res C oes V CE - 伏特 0 100 200 300 400 500 600 700 I C - amperes 0.01 0.1 1 10 100 T J = 125°c dv/dt < 3v/ns 总的门承担 - (nc) 0 50 100 150 200 250 V GE - 伏特 0 3 6 9 12 15 脉冲波宽度 - 秒 0.00001 0.0001 0.001 0.01 0.1 1 10 Z thJC (k/w) 0.001 0.01 0.1 1 d = 职责循环单独的脉冲波 d=0.5 d=0.2 I C = 40a V CE = 500v d=0.1 d=0.05 d=0.02 d=0.01 G50N60 2 JNB 图.10 瞬时热的阻抗图.9 电容曲线图.7 门承担图.8 转变-止 safe 运行范围

	电话：13410210660 QQ : 84325569
	联系方式： E-mail:CaiZH01@163.com