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资料编号:368022
 
资料名称:HAT2168H
 
文件大小: 77.83K
   
说明
 
介绍:
Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
HAT2168H
rev.6.00, 六月.02.2003, 页 2 的 10
(ta = 25°c)
Item 标识 比率 单位
流 至 源 电压 V
DSS
30 V
门 至 源 电压 V
GSS
±20 V
流 电流 I
D
30 一个
流 顶峰 电流 I
d(脉冲波)
Note1
120 一个
身体-流 二极管 反转 流 电流 I
DR
30 一个
avalanche 电流 I
AP
便条 2
15 一个
avalanche 活力 E
AR
便条 2
22 mJ
频道 消耗 Pch
Note3
15 W
频道 至 情况 热的 阻抗
θ
ch-c 8.33 °c/w
频道 温度 Tch 150 °C
存储 温度 Tstg – 55 至 + 150 °C
注释: 1. PW
10
µ
s, 职责 循环
1%
2. 值 在 tch = 25°c, rg
50
3. Tc=25°C
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