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资料编号:368022
 
资料名称:HAT2168H
 
文件大小: 77.83K
   
说明
 
介绍:
Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
HAT2168H
rev.6.00, 六月.02.2003, 页 3 的 10
电的 特性
(ta = 25°c)
Item 标识 最小值 典型值 最大值 单位 测试 情况
流 至 源 损坏
电压
V
(br)dss
30 V I
D
= 10 毫安, v
GS
= 0
门 至 源损坏 电压 V
(br)gss
±20 V I
G
= ±100
µ
一个, v
DS
= 0
门 至 源 leak 电流 I
GSS
——±10
µ
AV
GS
= ±16 v, v
DS
= 0
零 门 电压 流 电流 I
DSS
——1
µ
AV
DS
= 30 v, v
GS
= 0
门 至 源 截止 电压 V
gs(止)
1.0 2.5 V V
DS
= 10 v,
I
D
= 1 毫安
静态的 流 至 源 在 状态 R
ds(在)
—6.07.9m
I
D
= 15 一个, v
GS
= 10 v
Note4
阻抗 R
ds(在)
8.8 13.5 m
I
D
= 15 一个, v
GS
= 4.5 v
Note4
向前 转移 admittance |y
fs
| 3050—S I
D
= 15 一个, v
DS
= 10 v
Note4
输入 电容 Ciss 1730 pF V
DS
= 10 v
输出 电容 Coss 400 pF V
GS
= 0
反转 转移 电容 Crss 130 pF f = 1 mhz
门 阻抗 Rg 0.55
总的 门 承担 Qg 11 nc V
DD
= 10 v
门 至 源 承担 Qgs 5 nc V
GS
= 4.5 v
门 至 流 承担 Qgd 2.4 nc I
D
= 30 一个
转变-在 延迟 时间 t
d(在)
—8 —nsV
GS
= 10 v, i
D
= 15 一个
上升 时间 t
r
—20—nsV
DD
10 v
转变-止 延迟 时间 t
d(止)
—40—nsR
L
= 0.67
下降 时间 t
f
4 ns rg = 4.7
body–drain 二极管 向前 电压 V
DF
0.85 1.10 V 如果 = 30 一个, v
GS
= 0
Note4
body–drain 二极管 反转
恢复 时间
t
rr
25 ns 如果 = 30 一个, v
GS
= 0
dif/ dt = 100 一个/ µs
注释: 4. 脉冲波 测试
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