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资料编号:368022
 
资料名称:HAT2168H
 
文件大小: 77.83K
   
说明
 
介绍:
Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
HAT2168H
rev.6.00, 六月.02.2003, 页 5 的 10
门 至 源 电压 v (v)
GS
流 至 源 电压 v (mv)
ds(在)
流 至 源 饱和 电压 vs.
门 至 源 电压
流 电流 i (一个)
D
流 至 源 在 状态 阻抗
r (m )
ds(在)
静态的 流 至 源 在 状态 阻抗
vs. 流 电流
情况 温度 tc (
°
c)
静态的 流 至 源 在 状态 阻抗
静态的 流 至 源 在 状态 阻抗
vs. 温度
向前 转移 admittance |yfs| (s)
流 电流 i (一个)
D
向前 转移 admittance vs.
流 电流
20
10
2
5
1
330
20
16
12
8
4
-25 0 25 50 75 100 125 150
0
1 10 100 10000.3
100
50
v = 4.5 v
GS
10 v
脉冲波 测试
r (m )
ds(在)
i = 20 一个
D
5 一个, 10 一个, 20 一个
v = 4.5 v
GS
10 v
脉冲波 测试
330
0.1
1 10 100
0.3
10
100
30
1
0.3
3
0.1
tc = -25
°
C
DS
v = 10 v
脉冲波 测试
75
°
C
25
°
C
250
200
150
100
50
0
4 8 12 16 20
脉冲波 测试
i = 20 一个
D
5 一个
10 一个
10 一个, 5a
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