hi-sincerity
微电子学 corp.
规格. 非. : he6606
issued 日期 : 1993.03.15
修订 日期 : 2002.01.15
页 非. : 1/4
HSD1609 hsmc 产品 规格
HSD1609
npn 外延的 planar 晶体管
特性
•
低 频率 高 电压 放大器
•
complementary 一双 和 hsb1109
绝对 最大 比率
(ta=25
°
c)
•
最大 温度
存储 temperature............................................................................................-50 ~ +150
°
C
接合面 温度 .................................................................................... +150
°
c 最大
•
最大 电源 消耗
总的 电源 消耗 (ta=25
°
c) .................................................................................. 1.25 w
•
最大 电压 和 电流
bvcbo 集电级 至 根基 电压.....................................................................................160 v
bvceo 集电级 至 发射级 电压..................................................................................160 v
bvebo 发射级 至 根基 电压............................................................................................5 v
ic 集电级 电流........................................................................................................100 毫安
电的 特性
(ta=25
°
c)
标识 最小值 典型值 最大值 单位 测试 情况
BVCBO 160 - - V IC=10uA
BVCEO 160 - - V IC=1mA
BVEBO 5 - - V IE=10uA
ICBO - - 10 uA VCB=140V
*vce(sat) - - 2 V ic=30ma, ib=3ma
vbe(在) - - 1.5 V ic=10ma, vce=5v
*hFE1 60 - 320 ic=10ma, vce=5v
*hFE2 30 - - ic=1ma, vce=5v
fT 145 - - MHz ic=10ma , vce=5v
Cob - 3.8 - pF vcb=10v, f=1mhz
*pulse 测试 : 脉冲波 宽度
≤
380us, 职责 循环
≤
2%
分类 的 hfe1
分级 B C D
范围 60-120 100-200 160-320
至-126ml
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