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资料编号：386700
 
资料名称：HSD1609
 
文件大小： 37.84K
   
说明：
 
介绍:
NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR
 
 


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hi-sincerity
微电子学 corp.
规格. 非. : he6606
issued 日期 : 1993.03.15
修订 日期 : 2002.01.15
页 非. : 2/4
HSD1609 hsmc 产品 规格
特性 曲线
电流 增益 &放大; 集电级 电流
1
10
100
1000
10000
0.1 1 10 100 1000
集电级 电流 i
C
(毫安)
hFE
25
o
C
hfe @ vce=5v
125
o
C
75
o
C
饱和 电压 &放大; 集电级 电流
10
100
1000
0.1 1 10 100 1000
集电级 电流 i
C
(毫安)
饱和 电压 (mv)
25
o
C
125
o
C
75
o
C
V
ce(sat)
@ i
C
=10I
B
饱和 电压 &放大; 集电级 电流
10
100
1000
10000
0.1 1 10 100 1000 10000
集电级 电流 i
C
(毫安)
饱和 电压 (mv)
25
o
C
125
o
C
75
o
C
V
ce(sat)
@ i
C
=20I
B
在 电压 &放大; 集电级 电流
100
1000
0.1 1 10 100 1000
集电级 电流 i
C
(毫安)
在 电压 (mv)
25
o
C
125
o
C
75
o
C
V
是(在)
@ i
C
=5V
截止 频率 &放大; 集电级 电流
10
100
1000
1 10 100 1000
集电级 电流 (毫安)
截止 频率 (mhz)..
V
CE
=5V
电容 &放大; 反转-片面的 电压
1
10
0.1 1 10 100 1000
反转 片面的 电压 (v)
电容 (pf)
Cob
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