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资料编号:390604
 
资料名称:HY628100BLLT1-E
 
文件大小: 175.71K
   
说明
 
介绍:
128K x8 bit 5.0V Low Power CMOS slow SRAM
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
HY628100B序列
Rev12/Apr.2001
7
数据 保持 electric 典型的
T一个= 0
°
C至 70
°
C/-25
°
C至 85
°
C(e)/-40
¡É
至 85
¡É
(i), 除非 否则 指定
Sym 参数 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
VDR vcc 为 数据 保持 /cs1>Vcc-0.2v或者CS2<0.2v,
V>Vcc-0.2v 或者V<Vss+ 0.2v
2.0 - - V
ICCDR 数据 HY628100B vcc = 3.0v, L - 2 50 uA
保持 /cs1>Vcc-0.2v或者CS2<0.2V, LL - 1 10 uA
电流 HY628100B-e/I V>Vcc-0.2v 或者 L - 2 50 u一个
V<Vss+ 0.2v LL - 1 15 uA
tCDR 碎片 deselect 至 数据 保持 时间 0 - - ns
tR 运行 恢复 时间 tRC
(2)
- - ns
注释:
1. 典型值 是 下面 这 情况 的 t一个= 25
°
C.
2. trc 是 读 循环 时间.
数据 保持 定时 图解 1
CS1
VDR
cs1>vcc-0.2v
tCDR
tR
VSS
VCC
4.5v
2.2v
数据 保持 模式
数据 保持 定时 图解 2
0.4v
VDR
tCDR
tR
VSS
VCC
4.5v
CS2
数据 保持 模式
cs2<0.2v
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