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资料编号:390604
 
资料名称:HY628100BLLT1-E
 
文件大小: 175.71K
   
说明
 
介绍:
128K x8 bit 5.0V Low Power CMOS slow SRAM
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
HY628100B序列
Rev12/Apr.2001
4
交流 chaRACTERISTICS
vcc =4.5v~5.5v, t一个= 0
°
C至 70
°
C/-25
°
C至 85
°
C(e)/-40
¡É
至 85
¡É
(i), 除非 否则 指定
-55 -70 -85
最小值 最大值 最小值 最大值 最小值 最大值
1 tRC 读 循环 时间 55 - 70 - 85 - ns
2 tAA* 地址 进入 时间 - 55 - 70 - 85 ns
3 tACS* 碎片 选择 进入 时间 - 55 - 70 - 85 ns
4 tOE 输出 使能 至 输出 有效的 - 25 - 35 - 45 ns
5 tCLZ 碎片 选择 至 输出 在 低 z 10 - 10 - 10 - ns
6 tOLZ 输出 使能 至 输出 在 低 z 5 - 5 - 5 - ns
7 tCHZ 碎片 deselection 至 输出在 高 z 0 20 0 25 0 30 ns
8 tOHZ 输出 使不能运转 至 输出 在 高 z 0 20 0 25 0 30 ns
9 tOH 输出 支撑 从 地址 改变 10 - 10 - 10 - ns
10 tWC 写 循环 时间 55 - 70 - 85 - ns
11 tCW 碎片 选择 至 终止 的 写 45 - 60 - 70 - ns
12 tAW 地址 有效的 至 终止 的 写 45 - 60 - 70 - ns
13 tAS 地址 设置-向上 时间 0 - 0 - 0 - ns
14 tWP 写 脉冲波 宽度 40 - 50 - 55 - ns
15 tWR 写 恢复 时间 0 - 0 - 0 - ns
16 tWHZ 写 至 输出 在 高 z 0 20 0 25 0 30 ns
17 tDW 数据 至 写 time overlap 25 - 30 - 40 - ns
18 tDH 数据 支撑 从 写 时间 0 - 0 - 0 - ns
19 tOW 输出 起作用的 从 终止 的 写 5 - 5 - 5 - ns
comment : taa* 和 tacs* 能 满足 50ns 和 30pf 测试 加载.
交流 测试 情况
T一个= 0
°
C至 70
°
C/-25
°
C至 85
°
C(e)/-40
¡É
至 85
¡É
(i), 除非 否则 指定
参数
输入 脉冲波 水平的 0.4v 至 2.2v
输入 上升 和 下降 时间 5ns
输入 和 输出 定时 涉及 水平的 1.5v
输出 加载 tclz,tolz,tchz,tohz,twhz,tow cl =5pf + 1ttl 加载
其他 cl = 100pf + 1ttl 加载
CL*=30pf + 1ttl 加载
Comment
* : 测试 加载 是 30pf 为 50ns
交流 测试 负载
cl(1)
TTL
便条 : 包含 jig 和 scope 电容
读 循环
写 循环
标识
参数
#
单位
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