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资料编号:390604
 
资料名称:HY628100BLLT1-E
 
文件大小: 175.71K
   
说明
 
介绍:
128K x8 bit 5.0V Low Power CMOS slow SRAM
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
HY628100B序列
Rev12/Apr.2001
5
定时 图解
读 循环 1(便条 1,4)
REad 循环 2(便条 1,2,4)
tRC
tAA
数据 有效的previous 数据
tOH
tOH
地址
数据
输出
读 循环 3(便条 1,2,4)
/cs1
tACS
数据 有效的
tCLZ(3)
tCHZ(3)
数据
输出
CS2
注释:
1.一个 read occurs在 这 overlap一个低 /oe, 一个 高/我们, 一个低 /cs1 和 一个 高 cs2.
2. /oe = vIL
3. 转变 是 量过的+200mv 从 steady 状态 电压.
这个 参数 是 抽样 和 不 100% 测试.
4./CS1 在 高 为 这 备用物品, 低 为 起作用的
CS2 在为 这 备用物品,为 起作用的
数据 有效的
-Z
地址
数据
输出
tRC
/CS1
CS2
/OE
tAA
tACS
tOE
tCLZ(3)
tOLZ(3)
tOH
tCHZ
(3)
tOHZ(3)
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