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Si4565DY
vishay siliconix
新 产品
文档号码:  73224
s-50033—rev. 一个, 17-jan-05
www.vishay.com
3
典型 特性 (25

c 除非 指出) n-频道
0
200
400
600
800
1000
1200
0 5 10 15 20 25 30 35 40
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8
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8
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012345
V
GS
= 10 thru 3 v
T
C
= 125

C
−
55

C
25

C
输出 特性 转移 特性
V
DS
−
流-至-源 电压 (v)
−
流 电流 (一个)I
D
V
GS
−
门-至-源 电压 (v)
−
流 电流 (一个)I
D
2 v
−
在-阻抗 (r
ds(在)

)
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0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
−
50
−
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1
2
3
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V
DS
−
流-至-源 电压 (v)
I
D
= 5.2  一个
I
D
−
流 电流 (一个)
V
GS
= 10 v
I
D
= 5.2 一个
V
GS
= 10 v
V
GS
= 4.5 v
门 承担
−
门-至-源 电压 (v)
Q
g
−
总的 门 承担 (nc)
C
−
电容 (pf)
V
GS
电容
在-阻抗 vs. 接合面 temperature
T
J
−
接合面 温度 (

c)
C
oss
C
iss
在-阻抗vs. 流 电流
r
ds(在)
−
在-阻抗
(normalized)
C
rss
V
DS
= 10 v
V
DS
= 20 v

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Si4565DY vishay siliconix 新产品文档号码: 73224 s-50033—rev. 一个, 17-jan-05 www.vishay.com 3 典型特性 (25  c 除非指出) n-频道 0 200 400 600 800 1000 1200 0 5 10 15 20 25 30 35 40 0 4 8 12 16 20 0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 0 4 8 12 16 20 012345 V GS = 10 thru 3 v T C = 125  C − 55  C 25  C 输出特性转移特性 V DS − 流-至-源电压 (v) − 流电流 (一个)I D V GS − 门-至-源电压 (v) − 流电流 (一个)I D 2 v − 在-阻抗 (r ds(在)  ) 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 − 50 − 25 0 25 50 75 100 125 150 0 1 2 3 4 5 6 01234567891011 0.020 0.025 0.030 0.035 0.040 0.045 0.050 048121620 V DS − 流-至-源电压 (v) I D = 5.2 一个 I D − 流电流 (一个) V GS = 10 v I D = 5.2 一个 V GS = 10 v V GS = 4.5 v 门承担 − 门-至-源电压 (v) Q g − 总的门承担 (nc) C − 电容 (pf) V GS 电容在-阻抗 vs. 接合面 temperature T J − 接合面温度 (  c) C oss C iss 在-阻抗vs. 流电流 r ds(在) − 在-阻抗 (normalized) C rss V DS = 10 v V DS = 20 v

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