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Si4565DY
vishay siliconix
新 产品
www.vishay.com
6
文档 号码:  73224
s-50033—rev. 一个, 17-jan-05
典型 特性 (25

c 除非 指出) p-频道
−
在-阻抗 (r
ds(在)

)
0
124
248
372
496
620
744
868
992
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0.8
1.0
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1.4
1.6
1.8
−
50
−
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0
1
2
3
4
5
6
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0.10
048121620
V
DS
−
流-至-源 电压 (v)
C
oss
C
iss
I
D
= 4.5 一个
I
D
−
流 电流 (一个)
V
GS
= 10 v
I
D
= 4.5 一个
V
GS
= 4.5 v
门 承担
在-阻抗 vs. 流 电流
−
门-至-源 电压 (v)
Q
g
−
总的 门 承担 (nc)
C
−
电容 (pf)
V
GS
电容
在-阻抗 vs. 接合面 temperature
T
J
−
接合面 温度 (

c)
0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4
0.00
0.05
0.10
0.15
0.20
0.25
0.30
0246810
T
J
= 150

C
I
D
=  4.5 一个
20
10
1
源-流二极管 向前 voltage 在-阻抗 vs. 门-至-源电压
−
在-阻抗 (r
ds(在)

)
V
SD
−
源-至-流 电压 (v) V
GS
−
门-至-源 电压 (v)
−
源 电流 (一个)I
S
T
J
= 25

C
C
rss
V
GS
= 10 v
r
ds(在)
−
在-阻抗
(normalized)
V
DS
= 10 v
V
DS
= 20 v
T
一个
= 25

C
T
一个
= 125

C

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Si4565DY vishay siliconix 新产品 www.vishay.com 6 文档号码: 73224 s-50033—rev. 一个, 17-jan-05 典型特性 (25  c 除非指出) p-频道 − 在-阻抗 (r ds(在)  ) 0 124 248 372 496 620 744 868 992 1116 1240 0 5 10 15 20 25 30 35 40 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 − 50 − 25 0 25 50 75 100 125 150 0 1 2 3 4 5 6 024681012 0.00 0.02 0.04 0.06 0.08 0.10 048121620 V DS − 流-至-源电压 (v) C oss C iss I D = 4.5 一个 I D − 流电流 (一个) V GS = 10 v I D = 4.5 一个 V GS = 4.5 v 门承担在-阻抗 vs. 流电流 − 门-至-源电压 (v) Q g − 总的门承担 (nc) C − 电容 (pf) V GS 电容在-阻抗 vs. 接合面 temperature T J − 接合面温度 (  c) 0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 0.00 0.05 0.10 0.15 0.20 0.25 0.30 0246810 T J = 150  C I D = 4.5 一个 20 10 1 源-流二极管向前 voltage 在-阻抗 vs. 门-至-源电压 − 在-阻抗 (r ds(在)  ) V SD − 源-至-流电压 (v) V GS − 门-至-源电压 (v) − 源电流 (一个)I S T J = 25  C C rss V GS = 10 v r ds(在) − 在-阻抗 (normalized) V DS = 10 v V DS = 20 v T 一个 = 25  C T 一个 = 125  C

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