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资料编号:394233
 
资料名称:Si4565DY
 
文件大小: 87.85K
   
说明
 
介绍:
N- and P-Channel 40-V (D-S) MOSFET
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
Si4565DY
vishay siliconix
新 产品
www.vishay.com
4
文档 号码: 73224
s-50033—rev. 一个, 17-jan-05
典型 特性 (25
c 除非 指出) n-频道
0.01
0
1
80
100
40
60
100.1
电源 (w)
单独的脉冲波 电源, 接合面-至-包围的
时间 (秒)
20
0.001
0.01
0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2
0.00
0.04
0.08
0.12
0.16
0.20
0246810
T
J
= 150
C
T
J
= 25
C
I
D
= 5.2 一个
20
10
1
源-流 二极管 向前 voltage 在-阻抗 vs. 门-至-源电压
在-阻抗 (r
ds(在)
)
V
SD
源-至-流 电压 (v) V
GS
门-至-源 电压 (v)
源 电流 (一个)I
S
0.6
0.4
0.2
0.0
0.2
0.4
50
25 0 25 50 75 100 125 150
I
D
= 250
一个
门槛 voltage
variance (v)V
gs(th)
T
J
温度 (
c)
safe 运行 范围, 接合面-至-foot
100
1
0.1 1 10 100
0.01
10
100 ms
流 电流 (一个)I
D
0.1
*limited 用 r
ds(在)
T
C
= 25
C
单独的 脉冲波
1 s
10 s
直流
10 ms
V
DS
流-至-源 电压 (v)
*V
GS
最小 v
GS
在 这个 r
ds(在)
指定
T
一个
= 125
C
T
一个
= 25
C
1 ms
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