Si4835DY
Si4835DY
Rev.
一个
Si4835DY
p-频道 逻辑 水平的 powertrench
场效应晶体管
一般 描述
这个 p-频道 逻辑 水平的 场效应晶体管 是 生产 使用
仙童 半导体's 先进的 powertrench 处理
那 有 被 特别 tailored 至 降低 在-状态
阻抗 和 还 维持 更好的 切换
效能.
这些 设备 是 好 suited 为 低 电压 和 电池
powered 产品 在哪里 低 在-线条 电源 丧失 和
快 切换 是 必需的.
产品
•
电池 保护
•
加载 转变
•
发动机 驱动
january 2001
特性
•
-8.8 一个, -30 v. r
ds(在)
= 0.020
Ω
@ v
GS
= -10 v
R
ds(在)
= 0.035
Ω
@ v
GS
= -4.5 v
•
扩展 v
GSS
范围 (
±
25v) 为 电池 产品.
•
低 门 承担 (19nc 典型).
•
快 切换 速.
•
高 效能 trench 技术 为 极其
低 r
ds(在)
.
•
高 电源 和 电流 处理 能力.
200
1
仙童 半导体 国际的
绝对 最大 比率
T
一个
= 25°c 除非 否则 指出
标识 参数 比率 单位
V
DSS
流-源 电压 -30 V
V
GSS
门-source 电压
±
25
V
I
D
流 电流 - 持续的
(便条 1a)
-8.8 一个
- 搏动 -50
P
D
电源 消耗 f或者 单独的 运作
(便条 1a)
2.5 W
(便条 1b)
1.2
(便条 1c)
1
T
J
, t
stg
运行 和 存储 接合面 温度 范围 -55 至 +150
°
C
热的 特性
R
θ
JA
Thermal resistance, 接合面-至-包围的
(便条 1a)
50
°
c/w
R
θ
JC
热的 阻抗, 接合面-至-情况
(便条 1)
25
°
c/w
包装 轮廓 和 订货 信息
设备 标记 设备 卷轴 大小 录音带 宽度 Quantity
Si4835DY
4835
13’’12mm2500 单位
5
6
8
3
1
7
4
2
S
D
S
S
所以-8
D
D
D
G
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