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资料编号:394296
 
资料名称:SI4835DY
 
文件大小: 79.66K
   
说明
 
介绍:
P-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET
 
 


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Si4835DY
Si4835DY
Rev.
一个
典型 特性
图示 1. 在-区域 特性 图示 2. 在-阻抗 变化
和 流 电流 和 门 电压
图示 5. 转移 特性 图示 6. 身体 二极管 向前 电压
变化 和 源 电流
和 温度
图示 3. 在-阻抗 变化
和 温度
图示 4. 在-阻抗 变化
和 门-至-源 电压
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150
T
J
, 接合面 温度 (
o
c)
R
ds(在)
, normalized
流-源 在-阻抗
I
D
= -8.8a
V
GS
= -10v
0
10
20
30
40
50
123456
-v
GS
, 门 至 源 电压 (v)
-i
D
, 流 电流 (一个)
T
一个
= -55
o
C
25
o
C
125
o
C
V
DS
= -5v
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
2
2.2
2.4
2.6
0 1020304050
-i
D
, dirain 电流 (一个)
R
ds(在)
, normalized
流-源 在-阻抗
V
GS
= -4.0v
-5.0v
-6.0v
-7.0v
-8.0v
-10v
-4.5v
0
0.01
0.02
0.03
0.04
0.05
0.06
345678910
-v
GS
, 门 至 源 电压 (v)
R
ds(在)
, 在-阻抗 (ohm)
I
D
= -4.4a
T
一个
= 125
o
C
T
一个
= 25
o
C
0
10
20
30
40
50
012345
-v
DS
, 流-源 电压 (v)
-i
D
, 流 电流 (一个)
-6.0v
-5.0v
-4.5v
-4.0v
-3.5v
-7.0v
V
GS
= -10v
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
0 0.2 0.4 0.6 0.8 1 1.2 1.4
-v
SD
,
身体 二极管 向前 电压 (v)
-i
S
, 反转 流 电流 (一个)
V
GS
= 0v
T
一个
= 125
o
C
25
o
C
-55
o
C
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