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资料编号:394296
 
资料名称:SI4835DY
 
文件大小: 79.66K
   
说明
 
介绍:
P-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET
 
 


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Si4835DY
Si4835Dy
Rev.
一个
电的 特性
T
一个
= 25°c 除非 否则 指出
标识 参数 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
止 特性
BV
DSS
流-source 损坏 电压
V
GS
= 0 v, i
D
= -250
µ
一个
-30 V
BV
DSS
T
J
损坏 电压 temperature
Coefficient
I
D
= -250
µ
一个,关联 至 25
°
C
-24
mv/
°
C
I
DSS
零 门 电压 流 电流 V
DS
= -24 v, v
GS
= 0 v -1
µ
一个
I
GSSF
门-身体 泄漏 电流, 向前 V
GS
= 25 v, v
DS
= 0 v 100 nA
I
GSSR
门-身体 泄漏 电流, 反转 V
GS
= -25 v, v
DS
= 0 v -100 nA
在 特性
(便条 2)
V
gs(th)
门 thres支撑 电压
V
DS
= v
GS
, i
D
= -250
µ
一个
-1 -2 -3 V
V
gs(th)
T
J
门 thres支撑 电压
Temperature coefficient
I
D
= -250
µ
一个,关联 至 25
°
C
5
mv/
°
C
R
ds(在)
静态的 流-源
在-阻抗
V
GS
= -10 v, i
D
= -8.8 一个
V
GS
= -10 v, i
D
= -8.8 一个,t
J
=125
°
C
V
GS
= -4.5 v, i
D
= -6.7 一个
0.015
0.023
0.026
0.020
0.032
0.035
I
d(在)
在-状态 流 电流 V
GS
= -10 v, v
DS
= -5 v -25 一个
g
FS
向前 跨导 V
DS
= -10 v, i
D
= -8.8 一个 20 S
动态 特性
C
iss
输入 电容 1680 pF
C
oss
输出 电容 545 pF
C
rss
反转 transfer capacitance
V
DS
= -15 v, v
GS
= 0 v,
f = 1.0 mhz
220 pF
切换 特性
(便条 2)
t
d(在)
转变-在 延迟 时间 12 22 ns
t
r
转变-在 上升 时间 15 27 ns
t
d(止)
转变-止 延迟 时间 55 90 ns
t
f
转变-止 下降 时间
V
DD
= -15 v, i
D
= -1 一个,
V
GS
= -10 v, r
GEN
= 6
23 37 ns
Q
g
总的 门 承担 19 27 nC
Q
gs
门-源 承担 6.8 nC
Q
gd
门-流 承担
V
DS
= -10 v, i
D
= -8.8 一个,
V
GS
= -5 v,
7.2 nC
流-源 二极管 特性 和 最大 比率
I
S
最大 持续的 流-源 二极管 向前 电流 -2.1 一个
V
SD
流-source 二极管 向前 电压 V
GS
= 0 v, i
S
= -2.1 一个
(便条 2)
-0.52 -1.2 V
注释:
1:
R
θ
JA
是 这 总 的 这 接合面-至-情况 和 情况-至-包围的 阻抗 在哪里 这 情况 热的 涉及 是 定义 作 这 焊盘 挂载 表面 的 这
流 管脚. r
θ
JC
是 有保证的 用 设计 当 r
θ
JA
是 决定 用 这 用户's 板 设计.
规模 1 : 1 在 letter 大小 paper
2:
脉冲波 测试: 脉冲波 宽度
300
µ
s, 职责 循环
2.0%
一个) 50
°
c/w 当
挂载 在 一个 1 在
2
垫子 的 2 oz. 铜.
b) 105
°
c/w 当
挂载 在 一个 0.04 在
2
垫子 的 2 oz. 铜.
c) 125
°
c/w 在 一个 最小
挂载 垫子 的 2 oz. 铜.
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