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资料编号:396842
 
资料名称:IRG4IBC30S
 
文件大小: 126.17K
   
说明
 
介绍:
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
IRG4IBC30S
www.irf.com 3
图. 1
- 典型 加载 电流 vs. 频率
(加载 电流 = i
RMS
的 基本的)
图. 2
- 典型 输出 特性
图. 3
- 典型 转移 特性
1
10
100
1 10
v , 集电级-至-发射级 voltage (v)
i , 集电级-至-发射级 电流 (一个)
CE
C
v = 15v
20µs 脉冲波 宽度
GE
t = 25 c
J
o
t = 150 c
J
o
0.1
1
10
100
5 6 7 8 9 10
v , 门-至-发射级 电压 (v)
i , 集电级-至-发射级 电流 (一个)
GE
C
v = 50v
s 脉冲波 宽度
CC
t = 25 c
J
o
t = 150 c
J
o
0.1 1 10 100
f , 频率 ( khz )
0
5
10
15
20
加载 电流 ( 一个 )
为 两个都:
职责 循环 : 50%
tj = 125
°
C
tsink = 90
°
C
门 驱动 作 指定
电源 消耗 = 7.0w
60%的 比率d
voltage
I
完美的 二极管
正方形的 波:
triangular 波:
I
clamp 电压:
80% 的 评估
为 两个都:
职责 循环: 50%
t = 125
°
C
t =90
°
C
Gate 驱动 作 指定
下沉
J
电源 消耗 = w
5.8
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