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标识 测试 情况 最大 比率
V
CES
T
J
= 25
°
c 至 150
°
C 600 V
V
CGR
T
J
= 25
°
c 至 150
°
c; r
GE
= 1 m
Ω
600 V
V
GES
持续的
±
20 V
V
GEM
瞬时
±
30 V
I
C25
T
C
= 25
°
C76A
I
C90
T
C
= 90
°
C39A
I
CM
T
C
= 25
°
c, 1 ms 152 一个
SSOA
V
GE
= 15 v, t
VJ
= 125
°
c, r
G
= 22
Ω
I
CM
= 76 一个
(rbsoa)
clamped inductive 加载 @ 0.8 v
CES
P
C
T
C
= 25
°
C 200 W
T
J
-55 ... +150
°
C
T
JM
150
°
C
T
stg
-55 ... +150
°
C
最大 含铅的 温度 为 焊接 300
°
C
1.6 mm (0.062 在.) 从 情况 为 10 s
M
d
挂载 torque (m3) 至-247 1.13/10nm/lb.在.
重量
至-247 ad 6 g
至-268 4 g
ds97548a(02/03)
HiPerFAST
TM
IGBT
IXGH39N60B V
CES
= 600 v
IXGH39N60BD1 I
C25
= 76 一个
IXGT39N60B V
ce(sat)
= 1.7 v
IXGT39N60BD1 t
fi
= 200 ns
特性
z
国际的 标准 包装
电子元件工业联合会 至-247 ad &放大; 至-268
z
高 电流 处理 能力
z
newest 一代 hdmos
TM
处理
z
mos 门 转变-在
- 驱动 simplicity
产品
z
pfc 电路
z
交流 发动机 速 控制
z
直流 伺服 和 robot 驱动
z
直流 choppers
z
uninterruptible 电源 供应 (ups)
z
切换-模式 和 resonant-模式
电源 供应
有利因素
z
高 电源 密度
z
非常 快 切换 speeds 为 高
频率 产品
初步的 数据
标识 测试 情况 典型的 值
(t
J
= 25
°
c, 除非 否则 指定)
最小值 典型值 最大值
BV
CES
I
C
= 250
µ
一个, v
GE
= 0 v 39N60B 600 V
I
C
= 750
µ
一个 39N60BD1 600
V
ge(th)
I
C
= 250
µ
一个, v
CE
= v
GE
39N60B 2.5 5.0 V
I
C
= 500
µ
一个 39N60BD1 2.5 5.0 V
I
CES
V
CE
=
0.8 • v
CES
T
J
= 25
°
C
39N60B 200
µ
一个
V
GE
= 0 v
T
J
= 125
°
C
39N60B 1 毫安
T
J
= 125
°
C
39N60BD1 3 毫安
I
GES
V
CE
= 0 v, v
GE
=
±
20 v
±
100 nA
V
ce(sat)
I
C
=
I
90
,
V
GE
= 15 v 1.7 V
(d1)
g = 门, C=集电级,
e = 发射级, tab = 集电级
G
C
E
至-247 ad
(ixgh)
c (tab)
G
E
c (tab)
至-268
(ixgt)
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