ixys reserves 这 正确的 至 改变 限制, 测试 情况, 和 维度.
IXGH39N60B IXGT39N60B
IXGH39N60BD1 IXGT39N60BD1
ixys mosfets 和 igbts 是 covered 用 一个 或者 更多 的 这 下列的 u.s. 专利权: 4,835,592 4,881,106 5,017,508 5,049,961 5,187,117 5,486,715 6,306,728b1
4,850,072 4,931,844 5,034,796 5,063,307 5,237,481 5,381,025
标识 测试 情况 典型的 值
(t
J
= 25
°
c, 除非 否则 指定)
最小值 典型值 最大值
g
fs
I
C
= i
C90
; v
CE
= 10 v, 19 28 S
脉冲波 测试, t
≤
300
µ
s, 职责 循环
≤
2 %
C
ies
2750 pF
C
oes
V
CE
= 25 v, v
GE
= 0 v, f = 1 mhz 39N60B 200 pF
39N60BD1 240 pF
C
res
50 pF
Q
G
110 150 nC
Q
GE
I
C
= i
C90
, v
GE
= 15 v, v
CE
= 0.5 v
CES
25 35 nC
Q
GC
40 75 nC
t
d(在)
25 ns
t
ri
30 ns
t
d(止)
250 500 ns
t
fi
200 360 ns
E
止
4.0 6.0 mJ
t
d(在)
25 ns
t
ri
30 ns
E
在
0.3 mJ
t
d(止)
360 ns
t
fi
350 ns
E
止
6.0 mJ
R
thJC
0.62 k/w
R
thCK
0.25 k/w
inductive 加载, t
J
= 25
°°
°°
°
C
I
C
= i
C90
, v
GE
= 15 v
V
CE
= 0.8 v
CES
, r
G
= r
止
= 4.7
Ω
remarks: 切换 时间 将
增加 为 v
CE
(clamp) > 0.8 • v
CES
,
高等级的 t
J
或者 增加 r
G
至-247 ad 外形
维度 Millimeter 英寸
最小值 最大值 最小值 最大值
一个 4.7 5.3 .185 .209
一个
1
2.2 2.54 .087 .102
一个
2
2.2 2.6 .059 .098
b 1.0 1.4 .040 .055
b
1
1.65 2.13 .065 .084
b
2
2.87 3.12 .113 .123
C .4 .8 .016 .031
D 20.80 21.46 .819 .845
E 15.75 16.26 .610 .640
e 5.20 5.72 0.205 0.225
L 19.81 20.32 .780 .800
L1 4.50 .177
∅
P 3.55 3.65 .140 .144
Q 5.89 6.40 0.232 0.252
R 4.32 5.49 .170 .216
S 6.15 BSC 242 BSC
e
∅
P
inductive 加载, t
J
= 125
°°
°°
°
C
I
C
= i
C90
, v
GE
= 15 v
V
CE
= 0.8 v
CES
, r
G
= r
止
= 4.7
Ω
remarks: 切换 时间 将
增加 为 v
CE
(clamp) > 0.8 • v
CES
,
高等级的 t
J
或者 增加 r
G
标识 测试 情况 最小值 典型值 最大值
V
F
I
F
= i
C90
, v
GE
= 0 v, 脉冲波 测试 t
J
=150
°
C 1.6 V
t
≤
300
µ
s, 职责 循环 d
≤
2 % t
J
= 25
°
C 2.5 V
I
RM
I
F
= i
C90
, v
GE
= 0 v, -di
F
/dt = 100 一个/
µ
s6A
t
rr
V
R
= 100 v T
J
= 100
°
C 100 ns
I
F
= 1 一个; -di/dt = 100 一个/
µ
s; v
R
= 30 v t
J
= 25
°
C25 ns
R
thJC
0.9 k/w
反转 二极管 (fred) 典型的 值
(t
J
= 25
°
c, 除非 否则 指定)
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