ixys reserves 这 正确的 至 改变 限制, 测试 情况, 和 维度.
IXGH39N60B IXGT39N60B
IXGH39N60BD1 IXGT39N60BD1
ixys mosfets 和 igbts 是 covered 用 一个 或者 更多 的 这 下列的 u.s. 专利权: 4,835,592 4,881,106 5,017,508 5,049,961 5,187,117 5,486,715 6,306,728b1
4,850,072 4,931,844 5,034,796 5,063,307 5,237,481 5,381,025
图. 12. transient 这rmal response
0.01
0.1
1
1 10 100 1000
PulseWidth - milliseconds
R
(th)jc
(c/w)
图. 11. 门承担
0
3
6
9
12
15
0 20406080100120
Q
G
- nanocoulombs
V
CE
- 伏特
V
CE
=300V
I
C
=20A
I
G
=10mA
图. 7. transconductance
0
10
20
30
40
50
0 20406080100120
I
C
- amperes
G
FS
- siemens
T
J
= -40
º
C
25ºC
125ºC
图. 8. dependence 的 e
止
在 i
C
2
4
6
8
10
12
14
16
10 30 50 70 90
I
C
- amperes
E
止
- millijoules
R
G
= 5 ohms
R
G
= 56 ohms
T
J
= 125
º
C
V
GE
= 15v
V
CE
= 480v
图. 9. dependence的 e
的F
在 r
G
0
2
4
6
8
10
12
14
16
0 102030405060
R
G
- ohms
E
止
- millijoules
I
C
= 19.5a
I
C
= 39a
I
C
= 78a
T
J
= 125ºC
V
GE
= 15v
V
CE
= 480v
图. 10. dependence的 e
的F
在
温度
0
3
6
9
12
15
18
0 25 50 75 100 125 150
T
J
- degrees centigrades
E
止
- millijoules
I
C
=
78A
I
C
=
39A
I
C
=
19.5a
固体的 线条- r
G
= 5 ohms
Das hedlines- R
G
= 56 ohms
V
GE
= 15v
V
CE
= 480v
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