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资料编号:433135
 
资料名称:K1S3216BCD
 
文件大小: 168.37K
   
说明
 
介绍:
2Mx16 bit Page Mode Uni-Transistor Random Access Memory
 
 


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修订 1.0
april 2005
K1S3216BCD
- 9 -
U
t
内存
地址
数据 有效的
UB
, lb
我们
数据 在
数据 输出
高-z
定时 波形 的 写 循环(4)
(ub, lb控制)
注释
(写 循环)
1. 一个 wri
t
e occurs 在 这 overlap(t
WP
) 的 低 cs
1
和 低 我们. 一个 写 begins 当 cs
1
变得 低 和 我们变得 低 和 asserting
UB
或者 lb为 单独的 字节 运作 或者 同时发生地 asserting ub和 lb为 翻倍 字节 运作. 一个 写 ends 在 这 earliest tran-
sition 当 cs
1
变得 高 和 我们变得 高. 这
t
WP
是 量过的 从 这 beginning 的 写 至 这 终止 的 写.
2.
t
CW
是 量过的 从 这 cs
1
going 低 至 这 终止 的 写.
3. t
是 量过的 从 这 地址 有效的 至 这 beginning 的 写.
4.
t
WR
是 量过的 从 这 终止 的 写 至 这 地址 改变.
t
WR
是 应用 在 情况 一个 写 ends 和 cs
1
或者 我们going 高.
t
WC
t
CW
t
BW
t
WP
t
DH
t
DW
t
WR
t
AW
t
CS
1
CS
2
定时 波形 的 写 循环(3)
(cs
2
地址
数据 有效的
UB
, lb
我们
数据 在
数据 输出
高-z
t
WC
t
CW
t
AW
t
BW
t
wp(1)
t
DH
t
DW
t
WR
t
CS
1
CS
2
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