修订 1.0
april 2005
K1S3216BCD
- 5 -
U
t
内存
直流 和 运行 特性
1. 典型 值 是 测试 在 v
CC
=1.8v,
T
一个
=25
°
c 和 不 有保证的.
2.
I
SB1
是 量过的 之后 60ms 从 这 时间 当 备用物品 模式 是 设置 向上.
Item
标识
测试 情况 最小值
Typ
1)
最大值 单位
输入 泄漏 电流 I
LI
V
在
=vss 至 vcc -1 - 1
µ
一个
输出 泄漏 电流 I
LO
CS
1
=V
ih 或者
CS
2
=V
IL
或者 oe=V
IH
或者 我们=V
IL
或者 lb=UB=V
IH
,v
IO
=vss 至 vcc
-1 - 1
µ
一个
平均 运行 电流
I
CC1
循环 时间=1
µ
s, 100% 职责, i
IO
=0ma, cs1
≤
0.2v,
LB
≤
0.2v 或者/和 ub
≤
0.2v, cs
2
≥
vcc-0.2v, v
在
≤
0.2v 或者
V
在
≥
V
CC
-0.2v
--5ma
I
CC2
循环 时间=最小值, i
IO
=0ma, 100% 职责, cs1=V
IL
, cs
2
=V
ih,
LB=V
IL
或者/和
UB=V
IL
,v
在
=V
IL
或者 v
IH
-35ma
输出 低 电压 V
OL
I
OL
=0.1ma - - 0.2 V
输出 高 电压 V
OH
I
OH
=-0.1ma 1.4 - - V
备用物品 电流(cmos)
I
SB1
2)
其它 输入 = 0~vcc
1) cs
1
≥
vcc-0.2v, cs
2
≤
vcc-0.2v (cs
1
控制) 或者
2) 0v
≤
CS
2
≤
0.2v(cs
2
控制)
- - 100
µ
一个
推荐 直流 运行 情况
1)
1. t
一个
=-40 至 85
°
c, 否则 指定.
2. 越过: vcc+1.0v 在 情况 的 脉冲波 宽度
≤
3ns.
3. undershoot: -1.0v 在 情况 的 脉冲波 宽度
≤
3ns.
4. 越过 和 undershoot 是 抽样, 不 100% 测试.
Item 标识 最小值 Typ 最大值 单位
供应 电压 Vcc 1.7 1.85 2.0 V
地面 Vss 0 0 0 V
输入 高 电压 V
IH
1.4 -
vcc+0.3
2)
V
输入 低 电压 V
IL
-0.2
3)
-0.4v
电容
1)
(f=1mhz, t
一个
=25
°
c)
1. 电容 是 抽样, 不 100% 测试.
Item 标识 测试 情况 最小值 最大值 单位
输入 电容 C
在
V
在
=0V - 8 pF
输入/输出 电容 C
IO
V
IO
=0V - 10 pF
产品 列表
工业的 温度 产品(-40~85
°
c)
部分 名字 函数
k1s3216bcd-fi70
k1s3216bcd-fi85
48-fbga, 70ns, 1.8v
48-fbga, 85ns, 1.8v
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