修订 1.0
april 2005
K1S3216BCD
- 6 -
U
t
内存
交流 运行 情况
测试 情况
(测试 加载 和 测试 输入/输出 涉及)
输入 脉冲波 水平的: 0.2 至 vcc-0.2v
输入 rising 和 下落 时间: 5ns
输入 和 输出 涉及 电压: 0.5 x v
CC
输出 加载 (看 正确的): c
L
=50pF
C
L
1. 包含 scope 和 jig 电容
Dout
交流 特性
(vcc=1.7~2.0v, t
一个
=-40 至 85
°
c)
1. t
WP
(最小值)=70ns 或者 t
WC
(最小值)=90ns 为 持续的 写 运作 在 50 时间.
参数 列表 标识
速 bins
单位
70ns 85ns
最小值 最大值 最小值 最大值
一般 CS
高 脉冲波 宽度 t
CSHP
10 - 10 - ns
读
读 循环 时间 t
RC
70 - 85 - ns
地址 进入 时间 t
AA
- 70 - 85 ns
碎片 选择 至 输出 t
CO
- 70 - 85 ns
输出 使能 至 有效的 输出 t
OE
- 35 - 40 ns
UB
, lb进入 时间 t
BA
- 70 - 85 ns
碎片 选择 至 低-z 输出 t
LZ
10 - 10 - ns
UB
, lb使能 至 低-z 输出 t
BLZ
10 - 10 - ns
输出 使能 至 低-z 输出 t
OLZ
5- 5 - ns
碎片 使不能运转 至 高-z 输出 t
HZ
0 25 0 25 ns
UB
, lb使不能运转 至 高-z 输出 t
BHZ
0 25 0 25 ns
输出 使不能运转 至 高-z 输出 t
OHZ
0 25 0 25 ns
输出 支撑 从 地址 改变 t
OH
3- 3 - ns
页 循环 t
PC
25 - 25 - ns
页 进入 时间 t
PA
- 20 - 20 ns
写
写 循环 时间 t
WC
70 - 85 - ns
碎片 选择 至 终止 的 写 t
CW
60 - 70 - ns
地址 设置-向上 时间 t
作
0- 0 - ns
地址 有效的 至 终止 的 写 t
AW
60 - 70 - ns
UB
, lb有效的 至 终止 的 写 t
BW
60 - 70 - ns
写 脉冲波 宽度 t
WP
55
1)
-
60
1)
-ns
写 恢复 时间 t
WR
0- 0 - ns
写 至 输出 高-z t
WHZ
0 25 0 25 ns
数据 至 写 时间 overlap t
DW
30 - 35 - ns
数据 支撑 从 写 时间 t
DH
0- 0 - ns
终止 写 至 输出 低-z t
OW
5- 5 - ns
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