k4e171611d, k4e151611d
cmos dramk4e171612d, k4e151612d
交流 特性
(持续)
* km416c1204dt-45 (5v, 1k refresh) 仅有的
参数 标识
-45 -50 -60
单位 注释
最小值 最大值 最小值 最大值 最小值 最大值
数据 设置-向上 时间
tDS
0 0 0 ns 9,17
数据 支撑 时间
tDH
7 8 10 ns 9,17
refresh 时期 (1k, 正常的)
tREF
16 16 16 ms
refresh 时期 (4k, 正常的)
tREF
64 64 64 ms
refresh 时期 (l-ver)
tREF
128 128 128 ms
写 command 设置-向上 时间
tWCS
0 0 0 ns 7
CAS至W延迟 时间
tCWD
28 32 36 ns 7,13
RAS至W延迟 时间
tRWD
59 67 79 ns 7
column 地址W延迟 时间
tAWD
37 42 49 ns 7
CASprecharge 至W延迟 时间
tCPWD
39 47 54 ns 7
CAS设置-向上 时间 (CAS-在之前-RASrefresh)
tCSR
5 5 5 ns 15
CAS支撑 时间 (CAS-在之前-RASrefresh)
tCHR
10 10 10 ns 16
RAS至CASprecharge 时间
tRPC
5 5 5 ns
进入 时间 从CASprecharge
tCPA
25 28 35 ns 3
hyper 页 模式 循环 时间
tHPC
18 20 25 ns 18
hyper 页 读-modify-写 循环 时间
tHPRWC
39 47 56 ns 18
CASprecharge 时间 (hyper 页 循环)
tCP
7 / *6.5 8 10 ns 12
RAS脉冲波 宽度 (hyper 页 循环)
tRASP
45 200K 50 200K 60 200K ns
RAS支撑 时间 从CASprecharge
tRHCP
27 30 35 ns
OE进入 时间
tOEA
13 13 15 ns 3
OE至 数据 延迟
tOED
10 13 15 ns
输出 缓存区 转变 止 延迟 时间 从OE
tOEZ
3 13 3 13 3 15 ns 6
OEcommand 支撑 时间
tOEH
10 13 15 ns
输出 数据 支撑 时间
tDOH
4 5 5 ns
输出 缓存区 转变 止 延迟 从RAS
tREZ
3 13 3 13 3 15 ns 6,19
输出 缓存区 转变 止 延迟 从W
tWEZ
3 13 3 13 3 15 ns 6
W至 数据 延迟
tWED
15 15 15 ns
OE至CAS支撑 时间
tOCH
5 5 5 ns
CAS支撑 时间 至OE
tCHO
5 5 5 ns
OEprecharge 时间
tOEP
5 5 5 ns
W脉冲波 宽度 (hyper 页 循环)
tWPE
5 5 5 ns
RAS脉冲波 宽度 (C-b-R自 refresh)
tRASS
100 100 100 美国 20,21,22
RASprecharge 时间 (C-b-R自 refresh)
tRPS
79 90 110 ns 20,21,22
CAS支撑 时间 (C-b-R自 refresh)
tCHS
-50 -50 -50 ns 20,21,22
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