k4e171611d, k4e151611d
cmos dramk4e171612d, k4e151612d
电容
(t一个=25
°
c, vCC=5v 或者 3.3v, f=1mhz)
参数 标识 最小值 最大值 单位
输入 电容 [a0 ~ a11] CIN1 - 5 pF
输入 电容 [RAS,UCAS,LCAS,W,OE] CIN2 - 7 pF
输出 电容 [dq0 - dq15] CDQ - 7 pF
测试 情况 (5v 设备) : vCC=5.0v
±
10%, vih/vil=2.4/0.8v, voh/vol=2.0/0.8v
参数 标识
-45 -50 -60
单位 注释
最小值 最大值 最小值 最大值 最小值 最大值
随机的 读 或者 写 循环 时间
tRC
79 84 104 ns
读-modify-写 循环 时间
tRWC
105 115 140 ns
进入 时间 从RAS
tRAC
45 50 60 ns 3,4,10
进入 时间 从CAS
tCAC
14 15 17 ns 3,4,5
进入 时间 从 column 地址
tAA
23/*20 25 30 ns 3,10
CAS至 输出 在 低-z
tCLZ
3 3 3 ns 3
输出 缓存区 转变-止 延迟 从CAS
tCEZ
3 13 3 13 3 15 ns 6,19
OE至 输出 在 低-z
tOLZ
3 3 3 ns 3
转变 时间 (上升 和 下降)
tT
2 50 2 50 2 50 ns 2
RASprecharge 时间
tRP
30 30 40 ns
RAS脉冲波 宽度
tRAS
45 10K 50 10K 60 10K ns
RAS支撑 时间
tRSH
13 13 17 ns
CAS支撑 时间
tCSH
36 40 50 ns
CAS脉冲波 宽度
tCAS
7 / *6.5 10K 8 10K 10 10K ns 18
RAS至CAS延迟 时间
tRCD
19 31 20 35 20 43 ns 4
RAS至 column 地址 延迟 时间
tRAD
14 22 15 25 15 30 ns 10
CAS至RASprecharge 时间
tCRP
5 5 5 ns
行 地址 设置-向上 时间
tASR
0 0 0 ns
行 地址 支撑 时间
tRAH
9 10 10 ns
column 地址 设置-向上 时间
tASC
0 0 0 ns 11
column 地址 支撑 时间
tCAH
7 8 10 ns 11
column 地址 至RAS含铅的 时间
tRAL
23 25 30 ns
读 command 设置-向上 时间
tRCS
0 0 0 ns
读 command 支撑 时间 关联 至CAS
tRCH
0 0 0 ns 8
读 command 支撑 时间 关联 至RAS
tRRH
0 0 0 ns 8
写 command 支撑 时间
tWCH
8 10 10 ns
写 command 脉冲波 宽度
tWP
8 10 10 ns
写 command 至RAS含铅的 时间
tRWL
10 13 15 ns
写 command 至CAS含铅的 时间
tCWL
7 8 10 ns 14
交流 特性
(0
°
C
≤
T一个
≤
70
°
c, 看 便条 1,2)
Test 情况 (3.3v 设备) : vCC=3.3v
±
0.3v, vih/vil=2.2/0.7v, voh/vol=2.0/0.8v
* km416c1204dt-45 (5v, 1k refresh) 仅有的
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