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资料编号:433524
 
资料名称:K4E151611D
 
文件大小: 553.93K
   
说明
 
介绍:
1M x 16Bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out
 
 


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k4e171611d, k4e151611d
cmos dramk4e171612d, k4e151612d
VCC
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
VCC
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
n.c
n.c
n.c
W
RAS
*a11(n.c)
*a10(n.c)
A0
A1
A2
A3
VCC
VSS
DQ15
DQ14
DQ13
DQ12
VSS
DQ11
DQ10
DQ9
DQ8
n.c
n.c
LCAS
UCAS
OE
A9
A8
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A6
A5
A4
VSS
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管脚 配置
(顶 views)
管脚 名字 管脚 函数
a0 - a11 地址 输入 (4k 产品)
a0 - a9 地址 输入 (1k 产品)
dq0 - 15 数据 在/输出
VSS 地面
RAS 行 地址 strobe
UCAS upper column 地址 strobe
LCAS 更小的 column 地址 strobe
W 读/写 输入
OE 数据 输出 使能
VCC
电源(+5v)
电源(+3.3v)
n.c 非 连接
VCC
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
VCC
DQ4
DQ5
DQ6
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n.c
n.c
W
RAS
*a11(n.c)
*a10(n.c)
A0
A1
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VCC
VSS
DQ15
DQ14
DQ13
DQ12
VSS
DQ11
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*a10 和 a11 是 n.c 为 k4e151611(2)d(5v/3.3v,
1k ref.
产品)
j : 400mil 42 soj
t : 400mil 50(44) tsop ii
K4e17(5)1611(2)d-j
k4e17(5)1611(2)d-t
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