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资料编号：434120
 
资料名称：K4S161622D-TC/L10
 
文件大小： 1127.62K
   
说明：
 
介绍:
512K x 16Bit x 2 Banks Synchronous DRAM
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
K4S161622D cmos sdram
burst sequence (burst 长度 = 4)
最初的 地址
Sequential Interleave
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0
2
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3
0
1
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0
1
2
3
1
0
3
2
2
3
0
1
3
2
1
0
burst sequence (burst 长度 = 8)
最初的 地址
Sequential Interleave
0
0
0
0
1
1
1
1
0
1
0
1
0
1
0
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4
5
一个1 一个0一个2
0
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1
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0
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5
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