K4S161622D cmos sdram
这 k4s161622d 是 16,777,216 位 同步的 高 数据
比率 动态 内存 有组织的 作 2 x 524,288 words 用 16 位,
fabricated 和 samsung
′
s 高 效能 cmos technol-
ogy. 同步的 设计 准许 准确的 循环 控制 和 这
使用 的 系统 时钟 i/o transactions 是 可能 在 每 时钟
循环. 范围 的 运行 发生率, 可编程序的 burst
长度 和 可编程序的 latencies 准许 这 一样 设备 至 是
有用的 为 一个 多样性 的 高 带宽, 高 效能 mem-
ory 系统 产品.
• 3.3v 电源 供应
•lvttl 兼容 和 多路复用 地址
•双 banks 运作
•mrs 循环 和 地址 关键 programs
-. cas latency ( 2 &放大; 3)
-. burst 长度 (1, 2, 4, 8 & 全部 page)
-. burst 类型 (sequential &放大; interleave)
•所有 输入 是 抽样 在 这 积极的 going 边缘 的 这 系统
时钟
• burst 读 单独的-位 写 运作
• dqm 为 masking
• 自动 &放大; 自 refresh
•15.6us refresh 职责 循环 (2k/32ms)
一般 描述特性
函数的 块 图解
512k x 16bit x 2 banks 同步的 dram
订货 信息
部分 非. 最大值 freq. 接口 包装
k4s161622d-tc/l55 183MHz
LVTTL
50
tsop(ii)
k4s161622d-tc/l60 166MHz
k4s161622d-tc/l70 143MHz
k4s161622d-tc/l80 125MHz
k4s161622d-tc/l10 100MHz
samsung electronics reserves 这 正确的 至
改变 产品 或者 规格 没有
注意.
*
bank 选择
数据 输入 寄存器
512k x 16
512k x 16
sense 放大
输出 bufferi/o 控制
column 解码器
latency &放大; burst 长度
程序编制 寄存器
地址 寄存器
行 缓存区
refresh 计数器
行 解码器 col. 缓存区
LRAS
LCBR
LCKE
LRAS LCBR LWE LDQM
CLK CKE CS RAS CAS 我们 l(u)dqm
LWE
LDQM
DQi
CLK
增加
LCAS LWCBR
定时 寄存器
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