CAPACITANCE
1
(t
一个
= 25
°
c, f = 1 mhz)
参数 标识 CONDITIONS 最小值 典型值 最大值 单位
Input capacitance
C
在
V
在
= 0 v 7 pF
Input/输出放capacitance
C
i/o
V
i/o
= 0 v 10 pF
便条:
1. 这个 参数是 sampled 和不 production测试.
数据 保持 chaRACTERistics (t
一个
= 0 至 +70
°
c)
参数 标识 CONDITIONS 最小值 最大值 单位 便条
Dat一个 retenti在
voltage
V
CCDR
CE
2
≤
0.2 v 或者
CE
1
≥
V
CCDR
- 0.2 v
2.0 5.5 V 1
Dat一个 retenti在
current
I
CCDR
V
CCDR
= 3 v,
CE
2
≤
0.2 v 或者
CE
1
≥
V
CCDR
- 0.2 v
T
一个
=
25
°
C
1
µ
一个
1
20
µ
一个
Chip 使不能运转 至
dat一个 retenti在
t
CDR
0ns
Recoverytime t
R
t
RC
ns 2
注释:
1.
CE
2
应当是
≥
V
CCDR
- 0.2 v 或者
≤
0.2 v 当CE
1
≥
V
CCDR
- 0.2 v
2. t
RC
= 读 循环 时间
4.5 v
数据 保持 模式
V
CC
0 v
2.2 v
t
CDR
5268a-6
t
R
V
CCDR
CE
1
CE
1
≥
V
CCDR
- 0.2 v
0 v
V
CCDR
0.8 v
4.5 v
数据 保持 模式
t
CDR
t
R
CE
2
控制
CE
1
控制
(便条)
CE
2
0.2 v
便条:
至 控制 这 数据 保持 模式 在 ce
1
, fix 这 输入 水平的 的 ce
2
在 v
CCDR
和 v
CCDR
- 0.2 v 或者 0 v 至 0.2 v
在 这 数据 保持 模式.
V
CC
CE
2
≥
图示 3.低 voltage数据 retention
cmos 64k (8k
×
8) 静态的 rAM LH5268A
5
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