M12L16161A-7T_集成电路资料查询网

M12L16161A
elite 半导体 记忆 技术 公司
p.
8
发行 日期
:
jan. 2000
修订
:
1.3u
模式 寄存器
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M12L16161A elite 半导体记忆技术公司 p. 8 发行日期 : jan. 2000 修订 : 1.3u 模式寄存器 11 10 9 8 7 6 5 4 3 2 1 0 0 0 0 0 1 电子元件工业联合会标准测试设置 (refresh 计数器测试) 11 10 9 8 7 6 5 4 3 2 1 0 x x 1 0 0 LTMODE WT BL burst 读一个d single 写 (为Write 通过 cache) 11 10 9 8 7 6 5 4 3 2 1 0 1 0 使用在 future 11 10 9 8 7 6 5 4 3 2 1 0 x x x 1 1 v v v v v v v vender 明确的 11 10 9 8 7 6 5 4 3 2 1 0 v =有效的 0 0 0 0 0 LTMODE WT BL 模式寄存器设置 x =don’t 小心 bit2-0 WT=0 WT=1 000 1 1 001 2 2 010 4 4 011 8 8 100 R R 101 R R 110 R R burst 长度 111 全部页 R 0 Sequential wrap 类型 1 Interleave bits6-4 CAS Latency 000 R 001 R 010 2 011 3 100 R 101 R 110 R latency 模式 111 R 模式寄存器写定时 remark r : reserved ModeRegister写 CLOCK CKE CS RAS 我们 a0-a11 CAS

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