M12L16161A
elite 半导体 记忆 技术 公司
p.
5
发行 日期
:
jan. 2000
修订
:
1.3u
交流 运行 测试 情况
(v
DD
=3.3v
±
0.3v,t
一个
= 0 至 70 C
°
)
参数 Value 单位
输入 水平 (vih/vil) 2.4 / 0.4 V
输入 定时 度量 涉及 水平的 1.4 V
输入 上升 和 下降 时间 tr / tf = 1 / 1 ns
输出 定时 度量 涉及 水平的 1.4 V
输出 加载 情况 看 图.2
运行 交流 参数
(交流 运行 情况 除非 否则 指出)
版本
参数 标识
-4.3 -5 -5.5 -6 -7 -8
单位 便条
行 起作用的 至 行 起作用的 延迟
t
RRD
(最小值)
8.61011121416 ns 1
RAS 至 CAS 延迟
t
RCD
(最小值)
12.91516161620 ns 1
行 precharge 时间
t
RP
(最小值)
12.91516182020 ns 1
t
RAS
(最小值)
34.44040424248 ns 1
行 起作用的 时间
t
RAS
(最大值)
100 美国
行 循环 时间
t
RC
(最小值)
47.35560606368 ns 1
last 数据 在 至 新 col. 地址 延迟
t
CDL
(最小值)
1CLK2
last 数据 在 至 行 precharge
t
RDL
(最小值)
1CLK2
last 数据 在 至 burst 停止
t
BDL
(最小值)
1CLK2
col. 地址 至 col. 地址 延迟
t
CCD
(最小值)
1CLK3
cas latency=3 1号码 的 有效的 输出 数据
cas latency=2 1
ea 4
便条:
1. 这 最小 号码 的 时钟 循环 是 决定 用 dividing 这 最小 时间 必需的 和 时钟 循环 时间
一个d thenrounding 止 至 这 next higher integer.
4.
最小 延迟 是 必需的 至 完全 写.
4.
所有 部分 准许 每 循环 column 地址 改变.
4.
在 情况 的 行 precharge 中断, 自动 precharge 和 读 burst 停止.
这 earliest 一个 precharge command 能 是 issued 之后 一个 读 command 没有 这 丧失 的 数据 是 cl+bl-2 clocks.
3.3v
输出
(图.2) 交流 输出 加载 电路
30pF
Vtt =1.4v
voh(直流) = 2.4v, ioh = -2ma
vol(直流) =0.4v, iol= 2ma
30 pf
输出
(图.1) 直流 输出 加载 电路
Z0=50
è
870
è
1200
è
50
è
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