M12L16161A
elite 半导体 记忆 技术 公司
p.
9
发行 日期
:
jan. 2000
修订
:
1.3u
burst 长度 和 sequence
(burst 的 二)
开始 地址
(column 地址 a0 二进制的)
sequential 寻址
sequence (decimal)
interleave 寻址
sequence (decimal)
00,10,1
11,01,0
(burst 的 四)
开始 地址
(column 地址 a1-a0, 二进制的)
sequential 寻址
sequence (decimal)
interleave 寻址
sequence (decimal)
00 0,1,2,3 0,1,2,3
01 1,2,3,0 1,0,3,2
10 2,3,0,1 2,3,0,1
11 3,0,1,2 3,2,1,0
(burst 的 第八)
开始 地址
(column 地址 a2-a0, 二进制的)
sequential 寻址
sequence (decimal)
interleave 寻址
sequence (decimal)
000 0,1,2,3,4,5,6,7 0,1,2,3,4,5,6,7
001 1,2,3,4,5,6,7,0 1,0,3,2,5,4,7,6
010 2,3,4,5,6,7,0,1 2,3,0,1,6,7,4,5
011 3,4,5,6,7,0,1,2 3,2,1,0,7,6,5,4
100 4,5,6,7,0,1,2,3 4,5,6,7,0,1,2,3
101 5,6,7,0,1,2,3,4 5,4,7,6,1,0,3,2
110 6,7,0,1,2,3,4,5 6,7,4,5,2,3,0,1
111 7,0,1,2,3,4,5,6 7,6,5,4,3,2,1,0
全部 页 burst 是 一个 extension 的 这 在之上 tables 的 sequential 寻址, 和 这 长度 正在 256 为 1mx16 divice.
电源 向上 sequence
1.应用 电源 和 开始 时钟, attempt 至 维持 cke= “h”, l(u)dqm = “h” 和 这 其它 管脚 是 nop 情况 在 这
输入.
2.维持 稳固的 电源, 稳固的 时钟 和 nop 输入 情况 为 一个 最小 的 200us.
3.公布 precharge commands 为 所有 banks 的 这 设备.
4.公布 2 或者 更多 自动-refresh commands.
5.公布 模式 寄存器 设置 command 至 initialize 这 模式 寄存器.
cf.)sequence 的 4 &放大; 5 是 regardless 的 这 顺序.
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