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资料编号:461132
 
资料名称:M40SZ100WMH6
 
文件大小: 285.38K
   
说明
 
介绍:
5V or 3V NVRAM SUPERVISOR FOR LPSRAM
 
 


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m40sz100y, m40sz100w
10/19
图示 11. 电源 向上 定时
表格 6. 电源 向下/向上 交流 特性
便条: 1. 有效的 为 包围的 运行 温度: t
一个
= –40 至 85°c; v
CC
= 2.7 至 3.6v 或者 4.5 至 5.5v(除了 在哪里 noted).
2. V
PFD
(最大值) 至 v
PFD
(最小值) 下降 时间 的 较少 比 tf 将 结果 在 deselection/写 保护 不 occurring 直到 200 µs 之后 v
CC
passes v
PFD
(最小值).
3. V
PFD
(最小值) 至 v
SS
下降 时间 的 较少 比 tfb 将 导致 corruption 的 内存 数据.
标识
参数
(1)
最小值 最大值 单位
t
F
(2)
V
PFD
(最大值) 至 v
PFD
(最小值) v
CC
下降 时间
300 µs
t
FB
(3)
V
PFD
(最小值) 至 v
SS
V
CC
下降 时间
10 µs
t
PFD
pfi 至 pfo 传播 延迟 15 25 µs
t
R
V
PFD
(最小值) 至 v
PFD
(最大值) v
CC
上升 时间
10 µs
t
EPD
碎片 使能 传播 延迟 (低 或者 高)
M40SZ100Y 10 ns
M40SZ100W 15 ns
t
RB
V
SS
至 v
PFD
(最小值) v
CC
上升 时间
1µs
t
CER
碎片 使能 恢复 40 120 ms
t
REC
V
PFD
(最大值) 至 rst
40 200 ms
t
WPT
写 保护 时间 40 200 µs
AI03937
V
CC
E
E
CON
tR
tCER
V
OHB
V
PFD
(最大值)
V
PFD
(最小值)
V
所以
V
PFD
tEPDtEPD
RST
tREC
tRB
有效的
PFO
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