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m40sz100y, m40sz100w
表格 5. 直流 特性
便条: 1. 有效的 为 包围的 运行 温度: t
一个
= –40 至 85°c; v
CC
= 2.7 至 3.6v 或者 4.5 至 5.5v(除了 在哪里 noted).
2. 量过的 和 v
输出
和 e
CON
打开.
3. RSTIN
内部 牵引的-向上 至 v
CC
通过 100k
Ω
电阻.
4. 输出 deselected.
5. 外部 sram 必须 相一致 supervisor 碎片 v
CC
规格 (3v 或者 5v).
6. 为 rechargeable 后面的-向上, v
BAT
(最大值) 将 是 考虑 v
CC
– 0.5v.
7. 为 pfo
管脚 (cmos).
8. 碎片 使能 输出 (e
CON
) 能 仅有的 支持 cmos 泄漏 电流 在 这 电池 后面的-向上 模式. 高等级的 泄漏 电流 将 re-
duce 电池 生命.
9. 为 rst
&放大; bl管脚 (打开 流).
Sym 参数
测试 情况
(1)
M40SZ100Y M40SZ100W
单位
最小值 典型值 最大值 最小值 典型值 最大值
I
CC
供应 电流 输出 打开 1 0.5 毫安
I
CCDR
数据 保持 模式
电流
(2)
50 200 50 200 nA
I
LI
(3)
输入 泄漏
电流
0V
≤
V
在
≤
V
CC
±1 ±1 µA
输入 泄漏
电流 (pfi)
–25 2 25 –25 2 25 nA
I
LO
(4)
输出 泄漏
电流
0V
≤
V
输出
≤
V
CC
±1 ±1 µA
I
OUT1
(5)
V
输出
电流
(起作用的)
V
输出
> v
CC
– 0.3
175 100 毫安
I
OUT2
V
输出
电流
(电池 后面的-向上)
V
输出
> v
BAT
– 0.3
100 100 µA
V
BAT
电池 电压 2.5 3.0
3.5
(6)
2.5 3.0
3.5
(6)
V
V
IH
输入 高 电压
0.7v
CC
V
CC
+ 0.3 0.7v
CC
V
CC
+ 0.3
V
V
IL
输入 低 电压 –0.3
0.3v
CC
–0.3
0.3v
CC
V
V
OH
输出 高
电压
(7)
I
OH
= –1.0ma
2.4 2.4 V
V
OHB
V
OH
电池 后面的-
向上
(8)
I
OUT2
= –1.0µa
2.5 2.9 3.5 2.5 2.9 3.5 V
V
OL
输出 低 电压
I
OL
= 3.0ma
0.4 0.4 V
输出 低 电压
(打开 流)
(9)
I
OL
= 10ma
0.4 0.4 V
V
PFD
电源-失败 deselect
电压
4.20 4.40 4.50 2.55 2.60 2.70 V
V
PFI
pfi 输入 门槛
V
CC
= 5v(y)
V
CC
= 3v(v)
1.225 1.250 1.275 1.225 1.250 1.275 V
pfi hysteresis pfi rising 20 70 20 70 mV
V
所以
电池 后面的-向上
switchover 电压
2.5 2.5 V
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