m40sz100y, m40sz100w
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运作
这 m40sz100y/w, 作 显示 在 图示 7, 页 5,
能 控制 一个 (二, 如果 放置 在 并行的) 标准
低-电源 sram. 这个 sram 必须 是 配置
至 有 这 碎片 使能 输入 使不能运转 所有 其它 输入
信号. 大多数 慢, 低-电源 srams 是 config-
ured 像 这个, 不管怎样 许多 快 srams 是 不.
在 正常的 运行 情况, 这 condi-
tioned 碎片 使能 (e
CON
) 输出 管脚 跟随 这
碎片 使能 (e
) 输入 管脚 和 定时 显示 在 ta-
ble 6, 页 10. 一个 内部的 转变 connects v
CC
至
V
输出
. 这个 转变 有 一个 电压 漏出 的 较少 比
0.3v (i
OUT1
).
当 v
CC
degrades 在 一个 电源 失败, e
CON
是 强迫 inactive 独立 的 e. 在 这个 situa-
tion, 这 sram 是 unconditionally 写 保护
作 v
CC
falls 在下 一个 输出-的-容忍 门槛
(v
PFD
). 为 这 m40sz100y/w 这 电源 失败 de-
tection 值 有关联的 和 v
PFD
是 显示 在 ta-
ble 5, 页 7.
如果 碎片 使能 进入 是 在 progress 在 一个 电源
失败 发现, 那 记忆 循环 持续 至 com-
pletion 在之前 这 记忆 是 写 保护. 如果 这
记忆 循环 是 不 terminated 在里面 时间 t
WPT
,
E
CON
是 unconditionally 驱动 高, 写 保护-
ing 这 sram. 一个 电源 失败 在 一个 写 cy-
cle 将 corrupt 数据 在 这 目前 addressed
location, 但是 做 不 jeopardize 这 rest 的 这
sram's 内容. 在 电压 在下 v
PFD
(最小值),
这 用户 能 是 使确信 这 记忆 将 是 写
保护 在里面 这 写 保护 时间 (t
WPT
) pro-
vided 这 v
CC
下降 时间 做 不 超过 t
F
(看 ta-
ble 6, 页 10).
作 v
CC
持续 至 降级, 这 内部的 转变
disconnects v
CC
和 connects 这 内部的 电池
至 v
输出
. 这个 occurs 在 这 switchover 电压
(v
所以
). 在下 这 v
所以
, 这 电池 提供 一个 volt-
age v
OHB
至 这 sram 和 能 供应 电流
I
OUT2
(看 表格 5, 页 7).
当 v
CC
rises 在之上 v
所以
, v
输出
是 切换
后面的 至 这 供应 电压. 输出 e
CON
是 使保持 在-
起作用的 为 t
CER
(120ms 最大) 之后 这 电源
供应 有 reached v
PFD
, 独立 的 这 e在-
放, 至 准许 为 处理器 stabilization (看 图示
11, 页 10).
数据 保持 存在期 计算
大多数 低 电源 srams 在 这 market today 能
是 使用 和 这 m40sz100y/w nvram 控制-
ler. 那里 是, 不管怎样 一些 criteria 这个 应当
是 使用 在 制造 这 最终 选择 的 这个 sram
至 使用. 这 sram 必须 是 设计 在 一个 方法
在哪里 这 碎片 使能 输入 使不能运转 所有 其它 在-
puts 至 这 sram. 这个 准许 输入 至 这
m40sz100y/w 和 srams 至 是 “don't care”
once v
CC
falls 在下 v
PFD
(最小值) (看 图示 10,
页 9). 这 sram 应当 也 保证 数据
保持 向下 至 v
CC
= 2.0v. 这 碎片 使能 交流-
cess 时间 必须 是 sufficient 至 满足 这 系统
needs 和 这 碎片 使能 传播 延迟 在-
cluded.
如果 数据 保持 存在期 是 一个 核心的 参数 为
这 系统, 它 是 重要的 至 review 这 数据 reten-
tion 电流 规格 为 这 particular
srams 正在 evaluated. 大多数 srams 具体说明 一个
数据 保持 电流 在 3.0v. manufacturers gen-
erally 具体说明 一个 典型 情况 为 房间 temper-
ature along 和 一个 worst 情况 情况 (一般地
在 提升 温度). 这 系统 水平的 re-
quirements 将 决定 这 选择 的 这个 val-
ue 至 使用. 这 数据 保持 电流 值 的 这
srams 能 然后 是 增加 至 这 i
CCDR
值 的
这 m40sz100y/w 至 决定 这 总的 电流
(所需的)东西 为 数据 保持. 这 有 bat-
tery capacity 为 这 snaphat
®
的 your 选择
(看 表格 13, 页 17) 能 然后 是 分隔 用
这个 电流 至 决定 这 数量 的 数据 reten-
tion 有.
提醒
: 引领 小心 至 避免 inadvertent dis-
承担 通过 v
输出
和 e
CON
之后 电池 有
被 连结.
为 一个 更远 更多 详细地 review 的 存在期 calcu-
lations, 请 看 应用 便条 an1012.
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