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资料编号:461132
 
资料名称:M40SZ100WMH6
 
文件大小: 285.38K
   
说明
 
介绍:
5V or 3V NVRAM SUPERVISOR FOR LPSRAM
 
 


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m40sz100y, m40sz100w
图示 7. 硬件 hookup
便条: 1. 用户 有提供的 为 这 16-管脚 包装
最大 比率
stressing 这 设备 在之上 这 比率 列表 在 这
“absolute 最大 ratings” 表格 将 导致
永久的 损坏 至 这 设备. 这些 是
压力 比率 仅有的 和 运作 的 这 设备 在
这些 或者 任何 其它 情况 在之上 那些 indicat-
ed 在 这 运行 sections 的 这个 规格 是
不 暗指. 暴露 至 绝对 最大 rat-
ing 情况 为 扩展 时期 将 影响 de-
恶行 可靠性. 谈及 也 至 这
意法半导体 确信 程序 和 其它 rel-
evant 质量 documents.
表格 2. 绝对 最大 比率
便条: 1. 软熔焊接 在 顶峰 温度 的 215°c 至 225°c 为 < 60 秒 (总的 热的 budget 不 至 超过 180°c 为 在 90 to 120
秒).
提醒:
负的 undershoots 在下 –0.3v 是 不 允许 在 任何 管脚 当 在 这 电池 后面的-向上 模式.
提醒:
做 不 波 焊盘 soic 至 避免 损害的 snaphat 插座.
AI04767
V
CC
E
E
CON
V
SS
V
输出
V
CC
1mb 或者 4mb
LPSRAM
3.0v, 3.3v 或者 5v
PFI
0.1
µ
F
0.1
µ
F
M40SZ100Y
M40SZ100W
E
PFO
RST
BL
至 微处理器 重置
至 电池 监控 电路
无秩序的
电压
调整器
V
CC
V
R1
R2
从 微处理器
RSTIN
V
BAT
(1)
至 微处理器 nmi
标识 参数 单位
T
STG
存储 温度 (v
CC
止)
SNAPHAT –40 至 85 °C
SOIC –55 至 125 °C
T
SLD
(1)
含铅的 焊盘 温度 为 10 秒 260 °C
V
IO
输入 或者 输出 电压
–0.3 至 v
CC
+0.3
V
V
CC
供应 电压
M40SZ100Y –0.3 至 7 V
M40SZ100W –0.3 至 4.6 V
I
O
输出 电流 20 毫安
P
D
电源 消耗 1 W
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