标识 参数 测试 情况 最小值 最大值 单位
I
LI
(1)
输入 泄漏 电流 0V
≤
V
在
≤
V
CC
±
1
µ
一个
I
LO
(1)
输出 泄漏 电流 0V
≤
V
输出
≤
V
CC
±
5
µ
一个
I
CC
供应 电流 输出 打开 80 毫安
I
CC1
(2)
供应 电流 (备用物品) ttl e1 = v
IH
, e2 = v
IL
3mA
I
CC2
(2)
供应 电流 (备用物品) cmos
e1 = v
CC
– 0.2v,
e2 = v
SS
+ 0.2v
3mA
V
IL
(3)
输入 低 电压 –0.3 0.8 V
V
IH
输入 高 电压 2.2 V
CC
+ 0.3 V
V
OL
输出 低 电压 I
OL
= 2.1ma 0.4 V
输出 低 电压 (
int)
(4)
I
OL
= 0.5ma 0.4 V
V
OH
输出 高 电压 I
OH
= –1ma 2.4 V
注释:
1. 输出 deselected.
2. 量过的 和 控制 位 设置 作 跟随: r = ’1’; w, st, ft = ’0’.
3.负的 尖刺 的 –1v 允许 为 向上 至 10ns once 每 循环.
4. 这
int 管脚 是 打开 流.
表格 6. 直流 特性
(t
一个
= 0 至 70
°
c; v
CC
= 4.75v 至 5.5v 或者 4.5v 至 5.5v)
标识 参数 测试 情况 最小值 最大值 单位
C
在
输入 电容 V
在
= 0v 10 pF
C
IO
(3)
输入 / 输出 电容 V
输出
= 0v 10 pF
注释:
1.有效的 电容 量过的 和 电源 供应 在 5v.
2. 抽样 仅有的, 不 100% 测试.
3. 输出 deselected.
表格 5. 电容
(1, 2)
(t
一个
= 25
°
c, f = 1 mhz )
标识 参数 最小值 典型值 最大值 单位
V
PFD
电源-失败 deselect 电压 (m48t08) 4.5 4.6 4.75 V
V
PFD
电源-失败 deselect 电压 (m48t18) 4.2 4.3 4.5 V
V
所以
电池 后面的-向上 switchover 电压 3.0 V
t
DR
(2)
预期的 数据 保持 时间 10 年
注释:
1. 所有 电压 关联 至 v
SS
.
2. 在 25°c
表格 7. 电源 向下/向上 trip 点 直流 特性
(1)
(t
一个
= 0 至 70
°
c)
这 soic 和 电池/结晶 包装 是
运输 separately 在 塑料 反对-静态的 tubes 或者 在
录音带 &放大; 卷轴 表格. 为 这 28 含铅的 soic, 这
电池/结晶 包装 (i.e. snaphat) 部分 num-
ber 是 "m4t28-br12sh1".
作 图示 3 显示, 这 静态的 记忆 排列 和 这
quartz 控制 时钟 振荡器 的 这 m48t08/18
是 整体的 在 一个 硅 碎片. 这 二 电路
是 interconnected 在 这 upper 第八 记忆 lo-
cations 至 提供 用户 accessible bytewide
时钟 信息 在 这 字节 和 地址
1ff8h-1fffh.
描述
(内容’d)
4/19
m48t08, m48t18
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