标识 参数
m48t08 / m48t18
单位
-100 -150
最小值 最大值 最小值 最大值
t
AVAV
写 循环 时间 100 150 ns
t
AVWL
地址 有效的 至 写 使能 低 0 0 ns
t
AVE1L
地址 有效的 至 碎片 使能 1 低 0 0 ns
t
AVE2H
地址 有效的 至 碎片 使能 2 高 0 0 ns
t
WLWH
写 使能 脉冲波 宽度 80 100 ns
t
E1LE1H
碎片 使能 1 低 至 碎片 使能 1 高 80 130 ns
t
E2HE2L
碎片 使能 2 高 至 碎片 使能 2 低 80 130 ns
t
WHAX
写 使能 高 至 地址 转变 10 10 ns
t
E1HAX
碎片 使能 1 高 至 地址 转变 10 10 ns
t
E2LAX
碎片 使能 2 低 至 地址 转变 10 10 ns
t
DVWH
输入 有效的 至 写 使能 高 50 70 ns
t
DVE1H
输入 有效的 至 碎片 使能 1 高 50 70 ns
t
DVE2L
输入 有效的 至 碎片 使能 2 低 50 70 ns
t
WHDX
写 使能 高 至 输入 转变 5 5 ns
t
E1HDX
碎片 使能 1 高 至 输入 转变 5 5 ns
t
E2LDX
碎片 使能 2 低 至 输入 转变 5 5 ns
t
WLQZ
写 使能 低 至 输出 hi-z 50 70 ns
t
AVWH
地址 有效的 至 写 使能 高 80 130 ns
t
AVE1H
地址 有效的 至 碎片 使能 1 高 80 130 ns
t
AVE2L
地址 有效的 至 碎片 使能 2 低 80 130 ns
t
WHQX
写 使能 高 至 输出 转变 10 10 ns
表格 10. 写 模式 交流 特性
(t
一个
= 0 至 70
°
c; v
CC
= 4.75v 至 5.5v 或者 4.5v 至 5.5v)
这 时钟 locations 包含 这 年, month, 日期,
日, 小时, 分钟, 和 第二 在 24 小时 bcd
format. 纠正 为 28, 29 (leap 年), 30, 和
31 日 months 是 制造 automatically. 字节
1ff8h 是 这 时钟 控制 寄存器. 这个 字节 con-
trols 用户 进入 至 这 时钟 信息 和 也
stores 这 时钟 校准 设置.
这 第八 时钟 字节 是 不 这 真实的 时钟
counters themselves; 它们 是 记忆 locations
consisting 的 biport
读/写 记忆 cells.
这 m48t08/18 包含 一个 时钟 控制 电路
这个 updates 这 时钟 字节 和 电流 informa-
tion once 每 第二. 这 信息 能 是
accessed 用 这 用户 在 这 一样 manner 作 任何
其它 location 在 这 静态的 记忆 排列.
描述
(内容’d)
7/19
m48t08, m48t18
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