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© 2003 仙童 半导体 公司
MCT5200 MCT5201 MCT5210 MCT5211
低 输入 电流
phototransistor optocouplers
描述
这 mct52xx 序列 组成 的 一个 高-efficiency algaas, infrared 发出
二极管, 结合 和 一个 npn phototransistor 在 一个 六 管脚 双-在-线条 包装.
这 mct52xx 是 好 suited 为 cmos 至 lstt/ttl 接口, offering
250% ctr
ce(sat)
和 1 毫安 的 led 输入 电流. 当 一个 led 输入
电流 的 1.6 毫安 是 有提供的 数据 比率 至 20k 位/s 是 可能.
这 mct52xx 能 容易地 接口 lsttl 至 lsttl/ttl, 和 和 使用 的 一个
外部 根基 至 发射级 电阻 数据 比率 的 100k 位/s 能 是 达到.
特性
• 高 ctr
ce(sat)
comparable 至 darlingtons
• ctr 有保证的 0°c 至 70°c
• 高 一般 模式 瞬时 拒绝 5kv/µs
• 数据 比率 向上 至 150 kbits/s (nrz)
• underwriters laboratory (ul) 公认的 (file #e90700)
• vde 公认的 (file #94766)
– 增加 选项 300 (e.g., mct5211.300)
产品
• cmos 至 cmos/lsttl 逻辑 分开
• lsttl 至 cmos/lsttl 逻辑 分开
• rs-232 线条 接受者
• 电话 环绕 探测器
• 交流 线条 电压 感觉到
• 切换 电源 供应
参数 标识 设备 值 单位
总的 设备
存储 温度 T
STG
所有 -55 至 +150 °C
运行 温度 T
OPR
所有 -55 至 +100 °C
含铅的 焊盘 温度 T
SOL
所有 260 为 10 秒 °C
总的 设备 电源 消耗 @ 25°c (led 加 探测器)
P
D
所有
260 mW
减额 成直线地 从 25°c 3.5 mw/°c
发射级
持续的 向前 电流 I
F
所有 50 毫安
反转 输入 电压 V
R
所有 6 V
向前 电流 - 顶峰 (1 µs 脉冲波, 300 pps) I
F
(pk) 所有 3.0 一个
led 电源 消耗
P
D
所有 75 mW
减额 成直线地 从 25°c 所有 1.0 mw/°c
探测器
持续的 集电级 电流 I
C
所有 150 毫安
探测器 电源 消耗
P
D
所有 150 mW
减额 成直线地 从 25°c 所有 2.0 mw/°c
图式
6
1
6
1
6
1
1
2
6
5
COL
4 发射级
根基
ANODE
CATHODE
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