6/10/03
低 输入 电流
phototransistor optocouplers
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© 2003 仙童 半导体 公司
MCT5200 MCT5201 MCT5210 MCT5211
**all typicals 在 t
一个
= 25
°
C
注释
1. 直流 电流 转移 比率 (ctr
CE
) 是 de
fi
ned 作 这 晶体管 集电级 电流 (i
CE
) 分隔 用 这 输入 led 电流 (i
F
) x
100%, 在 一个 speci
fi
ed 电压 在 这 集电级 和 发射级 (v
CE
).
2. 这 集电级 根基 电流 转移 比率 (ctr
CB
) 是 de
fi
ned 作 这 晶体管 集电级 根基 photocurrent(i
CB
) 分隔 用 这
输入 led 电流 (i
F
) 时间 100%.
3. referring 至 图示 14 这 t
PHL
传播 延迟 是 量过的 从 这 50% 要点 的 这 rising 边缘 的 这 数据 输入 脉冲波 至
这 1.3v 要点 在 这 下落 边缘 的 这 输出 脉冲波.
4. referring 至 图示 14 这 t
PLH
传播 延迟 是 量过的 从 这 50% 要点 的 这 下落 边缘 的 数据 输入 脉冲波 至 这
1.3v 要点 在 这 rising 边缘 的 这 输出 脉冲波.
5. 延迟 时间 (t
d
) 是 量过的 从 50% 的 rising 边缘 的 led 电流 至 90% 的 vo 下落 边缘.
6. 上升 时间 (t
r
) 是 量过的 从 90% 至 10% 的 vo 下落 边缘.
7. 存储 时间 (t
s
) 是 量过的 从 50% 的 下落 边缘 的 led 电流 至 10% 的 vo rising 边缘.
8. 下降 时间 (t
f
) 是 量过的 从 10% 至 90% 的 vo rising 边缘.
9. C
ISO
是 这 电容 在 这 输入 (管脚 1, 2, 3 连接) 和 这 output, (pin 4, 5, 6 connected).
10. 设备 考虑 一个 二 终端 设备: 管脚 1, 2, 和 3 短接 一起, 和 管脚 5, 6 和 7 是 短接 together.
存储 时间
(7)
V
CE
= 0.4v,
R
是
= 330 k
Ω
,
R
L
= 1 k
Ω
, v
CC
= 5v
I
F
= 10ma
t
s
MCT5200 15 18
µs
I
F
= 5ma MCT5201 10 13
下降 时间
(8)
V
CE
= 0.4v,
R
是
= 330 k
Ω
,
R
L
= 1 k
Ω
, v
CC
= 5v
I
F
= 10ma
t
f
MCT5200 16 30
µs
I
F
= 5ma MCT5201 16 30
转移 特性
(t
一个
= 0
°
c 至 70
°
c 除非 否则 speci
fi
ed.) (持续)
直流 特性 测试 情况 标识 设备 最小值 Typ** 最大值 单位
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