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© 2003 仙童 半导体 公司
低 输入 电流
phototransistor optocouplers
MCT5200 MCT5201 MCT5210 MCT5211
转移 特性
(t
一个
= 0
°
c 至 70
°
c 除非 否则 speci
fi
ed.)
直流 特性 测试 情况 标识 设备 最小值 Typ** 最大值 单位
saturated 电流
转移 比率
(1)
(集电级 至 发射级)
I
F
= 10 毫安, v
CE
= 0.4 v
CTR
ce(sat)
MCT5200 75
%
I
F
= 5 毫安, v
CE
= 0.4 v MCT5201 120
I
F
= 3.0 毫安, v
CE
= 0.4 v MCT5210 60
I
F
= 1.6 毫安, v
CE
= 0.4 v
MCT5211
100
I
F
= 1.0 毫安, v
CE
= 0.4 v 75
电流 转移 比率
(集电级 至 发射级)
(1)
I
F
= 3.0 毫安, v
CE
= 5.0 v
CTR
(ce)
MCT5210 70
%I
F
= 1.6 毫安, v
CE
= 5.0 v
MCT5211
150
I
F
= 1.0 毫安, v
CE
= 5.0 v 110
电流 转移 比率
集电级 至 根基(2)
I
F
= 10 毫安, v
CB
= 4.3 v
CTR
(cb)
MCT5200 0.2
%
I
F
= 5 毫安, v
CB
= 4.3 v MCT5201 0.28
I
F
= 3.0 毫安, v
CE
= 4.3 v MCT5210 0.2
I
F
= 1.6 毫安, v
CE
= 4.3 v
MCT5211
0.3
I
F
= 1.0 毫安, v
CE
= 4.3 v 0.25
饱和 电压
I
F
= 10 毫安, i
CE
= 7.5 毫安
V
ce(sat)
MCT5200 0.4
V
I
F
= 5 毫安, i
CE
= 6 毫安 MCT5201 0.4
I
F
= 3.0 毫安, i
CE
= 1.8 毫安 MCT5210 0.4
I
F
= 1.6 毫安, i
CE
= 1.6 毫安 MCT5211 0.4
交流 特性 测试 情况 标识 设备 最小值 典型值 最大值 单位
传播 延迟
高 至 低
(3)
R
L
= 330
Ω
, r
是
=
∞
I
F
= 3.0 毫安
T
PHL
MCT5210
10
µs
R
L
= 3.3 k
Ω
, r
是
= 39 k
Ω
V
CC
= 5.0 v 7
R
L
= 750
Ω
, r
是
=
∞
I
F
= 1.6ma
MCT5211
14
R
L
= 4.7 k
Ω
, r
是
= 91 k
Ω
V
CC
= 5.0v 15
R
L
= 1.5 k
Ω
, r
是
=
∞
I
F
= 1.0ma 17
R
L
= 10 k
Ω
, r
是
= 160 k
Ω
V
CC
= 5.0v 24
V
CE
= 0.4v, v
CC
= 5v,
R
L
=
fi
g. 13, r
是
= 330 k
Ω
I
F
= 10ma MCT5200 1.6 12
I
F
= 5ma MCT5201 3 30
传播 延迟
低 至 高
(4)
R
L
= 330
Ω
, r
是
=
∞
I
F
= 3.0 毫安
T
PLH
MCT5210
0.4
µs
R
L
= 3.3 k
Ω
, r
是
= 39 k
Ω
V
CC
= 5.0 v 8
R
L
= 750
Ω
, r
是
=
∞
I
F
= 1.6ma
MCT5211
2.5
R
L
= 4.7 k
Ω
, r
是
= 91 k
Ω
V
CC
= 5.0v 11
R
L
= 1.5 k
Ω
, r
是
=
∞
I
F
= 1.0ma 7
R
L
= 10 k
Ω
, r
是
= 160 k
Ω
V
CC
= 5.0 v 16
V
CE
= 0.4v, v
CC
= 5v,
R
L
=
fi
g. 13, r
是
= 330 k
Ω
I
F
= 10ma MCT5200 18 20
I
F
= 5ma MCT5201 12 13
延迟 时间
(5)
V
CE
= 0.4v,
R
是
= 330 k
Ω
,
R
L
= 1 k
Ω
, v
CC
= 5v
I
F
= 10ma
t
d
MCT5200 0.5 7
µs
I
F
= 5ma MCT5201 1.1 15
上升 时间
(6)
V
CE
= 0.4v,
R
是
= 330 k
Ω
,
R
L
= 1 k
Ω
, v
CC
= 5v
I
F
= 10ma
t
r
MCT5200 1.3 6
µs
I
F
= 5ma MCT5201 2.5 20
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