3SK131_集成电路资料查询网

2
3SK131
典型  特性 (t
一个
= 25


c)
总的 电源 消耗 vs.
包围的 温度
T
一个
-包围的 温度-
°
C
50 75 100 125250
100
400
300
200
P
T
-总的 电源 消耗-mw
流 电流 vs.
流 至 源 电压
V
DS
-流 至 源 电压-v
100
10
20
I
D
-流 电流-毫安
V
G2
= 3.0 v
V
G1S
= 0 v
−
0.1
−
0.2
−
0.3
−
0.4
−
0.5
1 v
V
G2S
= 0
5 v
2 v
3 v
4 v
−
0.6
流 电流 vs.
gate1 至 源 电压
V
G1S
-门 1 至 源 电压-v
0
−
1.0 +1.0
10
20
I
D
-流 电流-毫安
向前 转移 admittance vs.
gate1 至 源 电压
V
G1S
-门 1 至 源 电压-v
0 1.0
−
1.0
0
10
20
30
40
|y
fs
|-向前 转移 admitance-ms
V
DS
= 6 v
V
G2S
= 5 v
4 v
3 v
2 v
1 v
0 v
向前 转移 admittance vs.
流 电流
I
D
-流 电流-毫安
10 200
15
10
5
30
25
20
|y
fs
|-向前 转移 admitance-ms
输入 电容 vs.
gate2 至 源 电压
V
G2S
-门 2 至 源 电压-v
0 1.0 2.0 3.0 4.0
−
1.0
0
6.0
4.0
2.0
8.0
C
iss
-输入 电容-pf
V
DS
= 6.0 v
f = 1 mhz
V
DS
= 6 v
V
G2
= 3 v
f = 1.0 khz
V
G1S
= 0.05 v
20

标　题:
内　容:
用户名:

手机号:	(*未登录用户需填写手机号,手机号不公开,可用于网站积分.)

本平台电子爱好着纯手工中文简译:	截至2020/5/17日,支持英文词汇500个

2 3SK131 典型特性 (t 一个 = 25   c) 总的电源消耗 vs. 包围的温度 T 一个 -包围的温度- ° C 50 75 100 125250 100 400 300 200 P T -总的电源消耗-mw 流电流 vs. 流至源电压 V DS -流至源电压-v 100 10 20 I D -流电流-毫安 V G2 = 3.0 v V G1S = 0 v − 0.1 − 0.2 − 0.3 − 0.4 − 0.5 1 v V G2S = 0 5 v 2 v 3 v 4 v − 0.6 流电流 vs. gate1 至源电压 V G1S -门 1 至源电压-v 0 − 1.0 +1.0 10 20 I D -流电流-毫安向前转移 admittance vs. gate1 至源电压 V G1S -门 1 至源电压-v 0 1.0 − 1.0 0 10 20 30 40 \|y fs \|-向前转移 admitance-ms V DS = 6 v V G2S = 5 v 4 v 3 v 2 v 1 v 0 v 向前转移 admittance vs. 流电流 I D -流电流-毫安 10 200 15 10 5 30 25 20 \|y fs \|-向前转移 admitance-ms 输入电容 vs. gate2 至源电压 V G2S -门 2 至源电压-v 0 1.0 2.0 3.0 4.0 − 1.0 0 6.0 4.0 2.0 8.0 C iss -输入电容-pf V DS = 6.0 v f = 1 mhz V DS = 6 v V G2 = 3 v f = 1.0 khz V G1S = 0.05 v 20

	电话：13410210660 QQ : 84325569
	联系方式： E-mail:CaiZH01@163.com